[发明专利]电流电压变换电路以及自激振荡电路有效
| 申请号： | 201510266311.7 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105094198B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 羽鸟大辅;吉田隆司;高山忠彦;吉田勇作 | 申请（专利权）人： | 横河电机株式会社 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 何立波,张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 电压 变换 电路 以及 振荡 | ||
1.一种电流电压变换电路，其具备：
第一电阻，其一端与振动式传感器的电极连接，其另一端与第一电位连接，所述第一电阻构成为，将从所述振动式传感器输入的电位固定为所述第一电位；
第一电流源；
第一电容器，其一端与所述第一电阻的一端以及所述振动式传感器的电极连接，其另一端与所述第一电流源连接；
第一输出端子；
第一电压源；
第一晶体管，其第一端子与所述第一电容器的另一端连接，其第二端子与所述第一输出端子连接，其控制端子与所述第一电压源连接；以及
第二电阻，其一端与所述第一晶体管的所述第二端子连接，其另一端与第二电位连接。
2.根据权利要求1所述的电流电压变换电路，其中，
所述第一晶体管是P型MOS晶体管，
所述第一端子是所述第一晶体管的源极，
所述第二端子是所述第一晶体管的漏极，
所述控制端子是所述第一晶体管的栅极。
3.根据权利要求1所述的电流电压变换电路，其中，
所述第一晶体管是N型MOS晶体管，
所述第一端子是所述第一晶体管的源极，
所述第二端子是所述第一晶体管的漏极，
所述控制端子是所述第一晶体管的栅极。
4.根据权利要求1所述的电流电压变换电路，其中，
所述第一晶体管是PNP型晶体管，
所述第一端子是所述第一晶体管的发射极，
所述第二端子是所述第一晶体管的集电极，
所述控制端子是所述第一晶体管的基极。
5.根据权利要求2或4所述的电流电压变换电路，其中，
所述第二电位为0V。
6.根据权利要求1所述的电流电压变换电路，其中，
所述第一晶体管是NPN型晶体管，
所述第一端子是所述第一晶体管的发射极，
所述第二端子是所述第一晶体管的集电极，
所述控制端子是所述第一晶体管的基极。
7.根据权利要求3或6所述的电流电压变换电路，其中，
所述第二电位为正的电源电位。
8.根据权利要求1所述的电流电压变换电路，其中，
所述第一电阻的一端与所述振动式传感器的振子连接。
9.一种电流电压变换电路，其具备：
第一电阻，其一端与振动式传感器的一个电极连接，其另一端与第一电位连接；
第一电流源；
第一电容器，其一端与所述第一电阻的一端连接，其另一端与所述第一电流源连接；
第一输出端子；
第一电压源；
第一晶体管，其第一端子与所述第一电容器的另一端连接，其第二端子与所述第一输出端子连接，其控制端子与所述第一电压源连接；
第二电阻，其一端与所述第一晶体管的所述第二端子连接，其另一端与第二电位连接；
第三电阻，其一端与所述振动式传感器的另一个电极连接，其另一端与第三电位连接；
第二电流源；
第二电容器，其一端与所述第三电阻的一端连接，其另一端与所述第二电流源连接；
第二输出端子；
第二电压源；
第二晶体管，其第一端子与所述第二电容器的另一端连接，其第二端子与所述第二输出端子连接，其控制端子与所述第二电压源连接；以及
第四电阻，其一端与所述第二晶体管的所述第二端子连接，其另一端与第四电位连接。
10.根据权利要求9所述的电流电压变换电路，其中，
所述第一晶体管以及所述第二晶体管是P型MOS晶体管，
所述第一晶体管的第一端子以及所述第二晶体管的第一端子分别是所述第一晶体管的源极以及所述第二晶体管的源极，
所述第一晶体管的第二端子以及所述第二晶体管的第二端子是所述第一晶体管的漏极以及所述第二晶体管的漏极，
所述第一晶体管的控制端子以及所述第二晶体管的控制端子是所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的栅极。
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