[发明专利]钴催化剂

权利要求书

1.一种制备催化剂的方法，该方法包括以下步骤：

(a)通过如下形成催化剂前体；

(i)用钴化合物和钌化合物浸渍过渡型氧化铝，

(ii)干燥经浸渍的氧化铝，

(b)煅烧经干燥的催化剂前体，和

(c)还原经煅烧的前体，

其中进行步骤(i)和(ii)直到催化剂的钴含量≥25重量％，催化剂的钌含量为0.05-0.15重量％，在250-650℃的温度下进行煅烧和在450-650℃的温度下进行还原，使得催化剂中的钴晶粒具有通过氢气化学吸附测定的≥15nm的平均尺寸。

2.根据权利要求1的方法，其中重复浸渍和干燥直到催化剂的钴含量为25-45重量％。

3.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中钴晶粒具有≥17.5nm，优选≥20nm的平均尺寸。

4.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中同时浸渍所述钴化合物和钌化合物。

5.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中相继浸渍所述钴化合物和钌化合物。

6.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中所述过渡型氧化铝包含γ氧化铝和/或δ氧化铝。

7.根据权利要求6的方法，其中所述氧化铝具有≤25μm的平均粒径。

8.根据权利要求6的方法，其中所述氧化铝的BET表面积为120-160m²/g。

9.根据权利要求6的方法，其中所述氧化铝具有0.35-0.65cm³/g的孔体积。

10.根据权利要求6的方法，其中所述氧化铝具有≥10nm的平均孔径。

11.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中还将选自钼、铁、锰、钛、锆、镧、铈、铬、镁或锌的金属的一种或多种添加剂化合物与钴和/或钌化合物同时或相继浸渍到催化剂载体中。

12.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中进行两个或更多个浸渍阶段；在各个浸渍之间对干燥前体进行预煅烧阶段。

13.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中所述煅烧在450-650℃的温度下于空气中进行。

14.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中所述还原在500-600℃的温度下进行。

15.根据权利要求1或权利要求2的方法，其中所述还原步骤用选自氢气、合成气或者氢气和/或一氧化碳与氮气或其它惰性气体的混合物的还原性气体进行。

16.根据权利要求15的方法，其中所述还原性气体混合物包含>90体积％的氢气。

17.根据权利要求1或权利要求2的方法，该方法还包括将经还原的催化剂包封在烃蜡中的步骤。

18.一种用于烃的费-托合成的方法，该方法包括在费-托反应器中使包含氢气和一氧化碳的气体混合物穿过根据权利要求1或权利要求2制备的催化剂的步骤。

19.根据权利要求18的方法，其中所述一氧化碳和氢气的混合物是氢气:一氧化碳比为1.6-3.0:1的合成气。

20.根据权利要求18的方法，其中所述反应在0.1-10Mpa的压力下和150-350℃的温度下进行操作。

21.根据权利要求18的方法，其中所述费托反应器为固定床反应器或浆态相反应器。