[发明专利]栅极层上的对位标记的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种栅极层上的对位标记的制作方法。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

显示面板是LCD、OLED的重要组成部分。不论是LCD的显示面板，还是OLED的显示面板，通常都具有一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板。以LCD的显示面板为例，其主要是由一TFT阵列基板、一彩色滤光片基板(Color Filter，CF)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在TFT阵列基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

在半导体工艺的领域之中，光刻工艺已经是制作过程中不可或缺的步骤之一；如业界所公知的，光刻过程包括下列的几个步骤：在基板上方涂布光阻，利用光罩对基板上的光阻进行曝光以定义电子产品对应的电路图案，如此才能够对光阻下的基板进行接下来的蚀刻过程，以形成所需的电路图案，以TFT阵列基板作为例子来说，就需要通过多道光罩来进行光刻以形成层叠结构。当前常用的TFT阵列设计中，就有五道光罩必须进行光刻，来分别完成栅极层(gate electrode，GE)，半导体(semiconductor，SE)，源极/漏极层(source/drain，S/D)，接触层(contact hole，CH)，像素电极层(pixel electrode，PE)五个不同层的电路图案。

如业界所公知的，在执行前述的曝光过程之前，光罩必须先正确地对准基板，如此才能够使电路图案很准确地投影到基板上，而对位标记便是用来支持前述光罩与基板之间的对准操作。一般来说，前述对应栅极层(第一层)的光罩，不但具有电子产品所对应的电路图案，还具有预先定义好的对位标记(Mark)，因此当执行栅极层的曝光操作时，对位标记便会同时经由栅极层的光罩形成于基板之上；而之后的多个光罩(譬如前述对应半导体层、源极/漏极层、接触层、像素电极层的各个光罩)上也已具有预先定义好的对位标记，因此在执行半导体层、源极/漏极层、接触层、像素电极层的曝光操作之前，利用光罩上面的对位标记去对准先前形成于基板上面的对位标记，如此便可确保曝光操作的精确度。

由于铜(Cu)材料导电率较佳，目前大尺寸TFT-LCD的制作逐渐导入Cu制程，即栅极，源/漏极均采用Cu材料制作。而在Cu制程的蚀刻过程中，目前常用的蚀刻液是由氢氟酸(HF)和双氧水(H₂O₂)混合配比而成。

当用于形成栅极的Cu制程需要重工(Rework)时，首先需要将先前形成于基板上的作为栅极层的铜膜蚀刻掉，同时蚀刻液中的HF也会蚀刻到玻璃材料的基板(主要成分为SiO₂)而使其带有图形印记，然后再在基板上沉积铜膜并图案化以重新得到栅极及对位标记，由于两次图案化时的曝光位置不可能完全重叠，如附图1所示的，第二次制作的图形200旁边会伴有因Rework而留下的图形印记，形成重影，其中，第二次形成的对位标记210旁边会伴有第一次形成的对位标记的印记110。

那么，在之后的曝光过程中曝光机在抓对位标记210时，因受到对位标记210旁边的印记110的影响，会报警提示不能正常对位。因此，Cu制程并不能正常执行Rework，造成产品良率损失。

因此，急需一种方法能够实现用于形成栅极的铜制程正常执行Rework，而不影响后面制程进行对位曝光。

发明内容

本发明的目的在于提供一种栅极层上的对位标记的制作方法，该方法通过在栅极层的光罩上设计两组栅极层对位标记，使得栅极铜膜重工后不影响后制程的对位曝光。

为实现上述目的，本发明提供一种栅极层上的对位标记的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板；

步骤2、在所述基板上沉积金属层，将该金属层定义为栅极层；

步骤3、提供对应于所述栅极层的光罩，所述光罩上设有第一组对位标记及第二组对位标记，利用遮光板遮住第二组对位标记，应用所述光罩在栅极层上形成相应的栅极及第一组栅极层对位标记。

还包括：

步骤4、检验测得步骤3制得的产品不良；