[发明专利]栅极层上的对位标记的制作方法有效
| 申请号： | 201510263823.8 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104810312B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 付延峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 对位 标记 制作方法 | ||
1.一种栅极层上的对位标记的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供基板；
步骤2、在所述基板上沉积金属层，将该金属层定义为栅极层；
步骤3、提供对应于所述栅极层的光罩，所述光罩上设有第一组对位标记及第二组对位标记，利用遮光板遮住第二组对位标记，应用所述光罩在栅极层上形成相应的栅极及第一组栅极层对位标记(11)；
步骤4、检验测得所述步骤3制得的产品不良；
步骤5、将经过步骤3后的金属层蚀刻掉，步骤3中形成的第一组栅极层对位标记(11)在基板上留有印记(11’)，重新在所述基板上沉积金属层，将该金属层定义为栅极层；
步骤6、不遮住所述光罩上的第二组对位标记，应用所述光罩在栅极层上形成相应的栅极、第三组栅极层对位标记(21)、及第二组栅极层对位标记(22)；
所述步骤1中，所述基板为玻璃板；
所述步骤2中，所述金属层为铜层；
所述步骤5中，所述重新在所述基板上沉积的金属层为铜层；
所述步骤5中，蚀刻液是由氢氟酸(HF)和双氧水(H2O2)混合配比而成。
2.如权利要求1所述的栅极层上的对位标记的制作方法，其特征在于，所述光罩上的第一组对位标记与所述第二组对位标记的形状相同。
3.如权利要求1所述的栅极层上的对位标记的制作方法，其特征在于，所述光罩上的第一组对位标记与所述第二组对位标记均为十字形。
4.如权利要求1所述的栅极层上的对位标记的制作方法，其特征在于，所述光罩上的第一组对位标记与所述第二组对位标记均为矩形。
5.如权利要求1所述的栅极层上的对位标记的制作方法，其特征在于，所述光罩上的第二组对位标记与所述第一组对位标记相邻、不相交。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
