[发明专利]用于电容式温度计的系统和方法有效
| 申请号： | 201510261097.6 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105092069B | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | J·希尔瓦诺德索萨;T·弗里施穆斯;P·伊尔西格勒;U·施密德;T·格里勒;U·赫德尼格;S·菲格埃拉达西尔瓦 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01K5/48 | 分类号： | G01K5/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电容 温度计 系统 方法 | ||
1.一种电容式温度计，包括：
第一腔；
形成在所述第一腔下方的第二腔；
形成在所述第二腔下方的第三腔；
将所述第一腔与所述第二腔分离的可偏转膜，所述可偏转膜包括具有第一热膨胀系数的第一材料和具有不同于所述第一热膨胀系数的第二热膨胀系数的第二材料，其中所述可偏转膜包括通风孔；
将所述第二腔与所述第三腔分离的第一穿孔传感电极，其中所述电极通过分隔距离从所述膜分离，并且电容式地耦合至所述膜；
形成在所述第一腔上方并密封所述第一腔的第一保护层；以及
形成在所述第三腔下方并密封所述第三腔的第二保护层。
2.根据权利要求1所述的电容式温度计，其中所述电容式温度计形成在具有电感性元件的相同的基底上并耦合至所述基底。
3.根据权利要求2所述的电容式温度计，其中所述电容式温度计和所述电感性元件被配置为在由射频(RF)信号激励时传输与温度有关的信号。
4.根据权利要求1所述的电容式温度计，其中所述穿孔传感电极被配置为基于温度的改变偏转。
5.根据权利要求1所述的电容式温度计，进一步包括在与所述第一穿孔传感电极相反的方向上从所述膜分离的第二穿孔传感电极。
6.根据权利要求1所述的电容式温度计，其中所述电容式温度计包括电容式微电机系统(MEMS)温度计。
7.根据权利要求1所述的电容式温度计，进一步包括在所述第一腔、所述第二腔和所述第三腔的之下或之上形成的另外的腔。
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