[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201510252987.0 申请日: 2015-05-18
公开(公告)号: CN104952885A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 赵利军 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L29/423;H01L21/28
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

现有的显示技术中,液晶显示器可以说是最为成熟的技术,例如,日常生活中常见的手机、数码相机、摄影机、电视机、笔记本等产品都是液晶显示器。随着人们对显示画面的品质要求的提高,高PPI(Pixels Per Inch,每英寸像素数目)的显示技术越来越受到重视。因此,现有的低开口率、高功耗的显示技术已经无法满足人们的要求。

发明内容

为解决上述问题,本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,用于解决现有技术中显示面板的开口率低、功耗高的问题。

为此,本发明提供一种显示基板,包括衬底基板,所述衬底基板上设置有遮光金属层和数据线,所述遮光金属层包括第一栅线和遮光层,所述遮光层的上方对应位置设置有第二栅线,所述第一栅线、第二栅线和数据线限定的像素单元包括像素电极和薄膜晶体管。

可选的,还包括绝缘层,所述绝缘层包括缓冲层和第一栅绝缘层,所述缓冲层设置在所述遮光层上,所述第一栅绝缘层设置在所述第一栅线上。

可选的,所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极、第一栅极或者第二栅极,所述有源层的构成材料包括多晶硅、非晶硅或者金属氧化物。

可选的,所述遮光层设置在所述衬底基板上,所述有源层设置在所述缓冲层上,所述有源层上设置有第二栅绝缘层,所述第二栅线和第二栅极设置在所述第二栅绝缘层上,所述第二栅线和第二栅极上设置有层间介电层,所述层间介电层上设置有第一过孔和第二过孔,所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。

可选的,所述第一栅线和第一栅极设置在所述衬底基板上,所述有源层设置在所述第一栅绝缘层上,所述有源层上设置有第二栅绝缘层,所述第二栅绝缘层上设置有层间介电层,所述层间介电层上设置有第一过孔和第二过孔,所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。

本发明还提供一种显示装置,包括上述任一显示基板。

本发明还提供一种显示基板的制备方法,包括:

在衬底基板上形成遮光金属层,所述遮光金属层包括第一栅线和遮光层;

在所述遮光层的上方对应位置形成第二栅线;

形成数据线、像素电极和薄膜晶体管,所述第一栅线、第二栅线和数据线限定的像素单元包括像素电极和薄膜晶体管。

可选的,所述在衬底基板上形成遮光金属层的步骤之后包括:

在所述遮光金属层上形成绝缘层,所述绝缘层包括缓冲层和第一栅绝缘层;

所述在所述遮光金属层上形成绝缘层的步骤包括:

在所述遮光层上形成缓冲层,在所述第一栅线上形成第一栅绝缘层。

可选的,所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极、第一栅极或者第二栅极,所述有源层的构成材料包括多晶硅、非晶硅或者金属氧化物。

可选的,所述在所述遮光层上形成缓冲层的步骤之后包括:

在所述缓冲层上形成所述有源层;

在所述有源层上形成第二栅绝缘层;

所述在所述遮光层的上方对应位置形成第二栅线的步骤包括:

在所述第二栅绝缘层上形成第二栅线的同时,在所述第二栅绝缘层上形成第二栅极;

所述在所述第二栅绝缘层上形成第二栅线的同时,在所述第二栅绝缘层上形成第二栅极的步骤之后包括:

在所述第二栅线和第二栅极上形成层间介电层,所述层间介电层上形成有第一过孔和第二过孔;

在所述层间介电层上形成所述源极和所述漏极,所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。

可选的,所述在衬底基板上形成遮光金属层的步骤包括:

在所述衬底基板上形成第一栅线的同时,在所述衬底基板上形成第一栅极;

所述在所述第一栅线上形成第一栅绝缘层的步骤之后包括:

在所述第一栅绝缘层上形成所述有源层;

在所述有源层上形成第二栅绝缘层;

在所述第二栅绝缘层上形成层间介电层,所述层间介电层上形成有第一过孔和第二过孔;

在所述层间介电层上形成所述源极和所述漏极,所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。

本发明具有下述有益效果:

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