[发明专利]用于功率转换器的自驱动同步整流

说明书

本公开涉及用于功率转换器的自驱动同步整流，具体公开了一种具有隔离拓扑的功率转换器，其可以包括功率晶体管、感测晶体管和读出电路。感测晶体管可以与功率晶体管以电流镜结构进行配置，使得感测晶体管的栅极端耦合至功率晶体管的栅极端，以及感测晶体管的第一漏极/源极端耦合至功率晶体管的第一漏极/源极端。读出电路可耦合至功率晶体管的第二漏极/源极端和感测晶体管的第二漏极/源极端。读出电路可配置为使得感测晶体管的第二漏极/源极端处的电压与功率晶体管的第二漏极/源极端处的电压实质上相同。

技术领域

本发明涉及功率转换器，更具体地，涉及具有隔离拓扑的功率转换器。

背景技术

具有隔离拓扑的功率转换器的次级侧上的整流通常利用一个(或多个)二极管来完成。然而，具有隔离拓扑的功率转换器的次级侧上的二极管整流可以被同步整流器来替代，其可以是代替标准二极管使用的任何适当类型的功率晶体管。同步整流器通常为Si功率MOSFET。由于功率转换器中切换的特性，同步整流器的控制会非常困难并且可能要求额外的硬件。

发明内容

总体上，本公开的目的在于提供一种方法和器件，其中具有隔离拓扑的功率转换器包括功率晶体管、感测晶体管和读出电路。感测晶体管可以与功率晶体管以电流镜结构来布置，使得感测晶体管的栅极端耦合至功率晶体管的栅极端，并且感测晶体管的第一漏极/源极端耦合至功率晶体管的第一漏极/源极端。读出电路可以耦合至功率晶体管的第二漏极/源极端和感测晶体管的第二漏极/源极端。读出电路可以被布置为使得感测晶体管的第二漏极/源极端处的电压与功率晶体管的第二漏极/源极端处的电压实质上相同。

在附图和以下说明中阐述了本公开的一个或多个示例的细节。本公开的其他特征、目的和优点将根据说明书和附图以及权利要求变得显而易见。

附图说明

参照附图描述本发明的非限制性和非排他性示例。

图1A是示出具有隔离拓扑的电源转换器的一部分的示例的框图。

图1B是示出图1A的电源转换器的一部分的另一示例的框图。

图1C是示出图1A的电源转换器的一部分的另一示例的框图。

图2是示出图1A的进一步包括驱动级和电流感测电路的电源转换器的一部分的示例的框图。

图3是示出图1A的电源转换器的一部分的示例的框图，其中读出电路包括跨导放大器。

图4是示出图3的包括又一开关的电源转换器的一部分的示例的框图。

图5是示出图4的电源转换器的一部分的示例的框图，其中电流感测电路包括截止比较器、导通比较器和SR控制逻辑。

图6是示出包括图5所示电源转换器的一部分的电源转换器的示例的框图。

图7是示出根据本发明各个方面的可以被图1A的一部分的示例使用的处理示例的流程图。

具体实施方式

将参照附图详细描述本公开的各个示例，其中在多幅图中类似的参考标号表示类似的部件和组件。参照各个示例并不限制本公开的范围，其仅通过所附权利要求当范围来限制。此外，本说明书中阐述的任何示例均不用于限制而仅是阐述本公开的许多可能示例中的一些。