[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置

说明书

本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板(W)上的膜实施等离子体处理。获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布。接着，根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低。然后，向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理。

技术领域

本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。

背景技术

在半导体装置的制造中，针对作为被处理体的半导体晶圆(以下，称作晶圆)，利用原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法等方法实施各种成膜处理。

近年来，作为实施ALD法的成膜装置，正在推进所谓的旋转台式的成膜装置的研究开发。该成膜装置具有旋转台，该旋转台以能够旋转的方式配置在真空容器内，并形成有供多个晶圆分别载置的、具有比晶圆的直径稍大的直径的凹部。而且，具有被划分于该旋转台的上方的反应气体A的供给区域、反应气体B的供给区域以及分离这些供给区域的分离区域。

另外，在旋转台式的成膜装置中，有时搭载有例如日本特开2013－161874号公报所示的等离子体产生部。利用由等离子体产生部生成的等离子体，实施各种(功能)膜在基板上的成膜、已形成在基板上的含碳膜的改性、已形成在基板上的膜的蚀刻等。

此外，即使在除ALD法以外的蚀刻装置、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置等中，对于蚀刻、成膜、膜的改性等，也利用了等离子体处理。

但是，在以往的等离子体处理中，没有对进行等离子体处理时的面内的处理量的分布进行控制的直接且有效的参数，只存在以下这样的间接的调整方法：适当地调整与处理量分布之间的相关性很难说有多大的气体的种类的改变、气体的流量的改变、压力的改变等的参数，并观察其结果。

发明内容

因此，本发明的目的在于应用能够对进行等离子体处理的膜等的被处理面的面内处理量适当地进行调整的等离子体处理方法及等离子体处理装置。

为了达到上述目的，在本发明的一实施方式的等离子体处理方法中，向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板上的膜实施等离子体处理的等离子体处理方法。

获取已形成在所述基板上的膜的基于所述等离子体处理的面内处理量的分布。

接着，根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低。

向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理。

本发明的其他实施方式的等离子体处理装置包括：

处理容器，其用于收容基板并对该基板进行等离子体处理；以及

旋转台，其设于该处理容器内，并能够沿着旋转方向载置所述基板。

另外，所述等离子体处理装置包括：

等离子体处理区域，其设于沿着该旋转台的旋转方向的预定区域，在比所述旋转台靠上方的位置由顶面与侧面划分而成；以及

多个气体喷嘴，其能够向该等离子体处理区域内的不同区域供给处理气体。