[发明专利]等离子体处理方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，在该等离子体处理方法中，向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板上的膜实施等离子体处理，其中，

该等离子体处理方法包括以下工序：

获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布；

根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述处理气体的流速而增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减小所述处理气体的流速而减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低；以及

向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理，其中，

调整所述处理气体的流速的工序是以使所述等离子体产生区域内的所述处理气体的流速均匀的方式进行调整的工序，其中，

所述等离子体产生区域是所述预定的等离子体处理区域的最上部附近的区域，其中，

所述基板载置在设于处理容器内的旋转台上，

所述预定的等离子体处理区域设于沿着所述旋转台的旋转方向的预定区域，并且具有在比所述旋转台靠上方的位置对所述预定的等离子体处理区域进行划分的顶面和侧面，

在所述基板利用所述旋转台的连续旋转而每次通过所述预定的等离子体处理区域时，进行所述等离子体处理。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

从与所述基板的不同区域对应设置的多个气体喷嘴供给所述处理气体，

调整所述处理气体的流速的工序通过以下方式进行：针对每个与所述基板的不同区域对应的所述多个气体喷嘴，调整从所述多个气体喷嘴供给的所述处理气体的流速。

3.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

所述多个气体喷嘴包括用于向所述基板的整体区域供给所述处理气体的第1气体喷嘴、用于向所述基板的靠所述旋转台的中心侧的区域供给所述处理气体的第2气体喷嘴以及用于向所述基板的靠所述旋转台的外周侧的区域供给所述处理气体的第3气体喷嘴。

4.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

所述处理气体的流速利用所述处理气体的流量来进行调整。

5.根据权利要求2所述的等离子体处理方法，其中，

调整所述处理气体的流速的工序通过改变所述旋转台与所述顶面之间的距离来进行。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

所述旋转台与所述顶面之间的距离的改变通过使所述旋转台和所述顶面中的至少一者上下移动来进行。

7.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

在所述处理容器的比所述旋转台靠下方的位置设有排气口，

所述顶面的高度被调整为沿着所述顶面流动的所述处理气体能够克服来自所述排气口的抽吸力而沿着所述顶面以均匀的流速流动的高度。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

在所述处理容器内的除比所述旋转台靠上方的所述预定的等离子体处理区域以外的区域内，进行除所述等离子体处理以外的基板处理。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理方法，其中，

所述基板处理是在所述基板上进行成膜的成膜处理。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

已形成在所述基板上的膜的基于所述等离子体处理的所述面内处理量通过膜厚分布来获取。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

已形成在所述基板上的膜的基于所述等离子体处理的所述面内处理量通过膜密度分布来获取。