[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

有源层；

与所述有源层同层设置的触控信号的多个输出电极和多个接收电极；

所述多个接收电极包括多行沿第一方向间隔设置的接收电极；

所述多个输出电极包括多个沿第二方向延伸的输出电极；

所述有源层的材料为金属氧化物半导体；

所述输出电极和接收电极由对所述金属氧化物半导体进行等离子体处理形成，同层设置的所述有源层、多个所述输出电极和多个所述接收电极由对同一金属氧化物半导体层处理形成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物半导体包括镓铟锌氧化物。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

栅绝缘层，所述有源层设置在所述栅绝缘层之上；

蚀刻阻挡层，设置在所述有源层之上，

其中，在蚀刻阻挡层中与所述有源层对应区域的设置有两个第一过孔；

设置在所述蚀刻阻挡层之上的源极和漏极，

其中，所述源极通过所述两个第一过孔中的一个第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过所述两个第一过孔中的另一个第一过孔与所述有源层电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第一钝化层，设置在所述蚀刻阻挡层之上，

其中，在所述第一钝化层中与每个所述接收电极对应的位置设置有第二过孔；

多个接收电极连接线，设置在所述第一钝化层之上并沿第一方向延伸，每条接收电极连接线通过多个第二过孔与对应的多个接收电极电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第二钝化层，设置在所述第一钝化层之上，

其中，在所述第一钝化层中与所述漏极对应的位置设置有第三过孔，在所述第二钝化层中与所述漏极对应的位置设置有第四过孔；

像素电极，设置在所述第二钝化层之上，通过所述第三过孔和第四过孔与所述漏极电连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述接收电极和所述输出电极在显示阶段被输入公共电压以用作公共电极。

7.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包括：

形成半导体层；

对所述半导体层进行蚀刻，形成有源层和第一区域半导体层以及第二区域半导体层，

其中，所述第一区域半导体层包括多行沿第一方向间隔设置的半导体层，所述第二区域半导体层包括多个沿第二方向延伸的半导体层；

对所述第一区域半导体层进行处理形成触控信号的输出电极，对所述第二区域半导体层进行处理形成触控信号的接收电极，对所述第一区域半导体层进行等离子体处理形成所述输出电极，对所述第二区域半导体层进行等离子体处理形成所述接收电极。

9.根据权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述半导体层材料为镓铟锌氧化物。

10.根据权利要求8所述的阵列基板制作方法，其特征在于，所述形成有源层包括：

在栅绝缘层之上形成所述有源层；

所述阵列基板制作方法还包括：

在所述有源层之上形成蚀刻阻挡层；

在蚀刻阻挡层中与所述有源层对应区域的形成两个第一过孔；

在所述蚀刻阻挡层之上形成源极和漏极，使所述源极通过所述两个第一过孔中的一个第一过孔与所述有源层电连接，使所述漏极通过所述两个第一过孔中的另一个第一过孔与所述有源层电连接。