[发明专利]检测光刻热点的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种检测光刻(photolithographic)图形中热点(hotspots)的方法，更具体的，其涉及一种根据空间影像(aerial image)的强度相关指数来检测光刻图形中热点的方法。

背景技术

电子线路，例如集成电路(IC)，被广泛用在多种的电子产品中，诸如汽车、微波炉，乃至个人计算机等。IC元件的设计与制造牵涉到许多步骤，其有时会被称为设计流程。一个设计流程中的特殊步骤通常取决于电路的类型、复杂度、设计团队，以及制作该电路的制造商或晶圆加工者而定。借助执行软件模拟程序和/或是硬件仿真程序，软、硬件工具会被用来检验一个设计流程中个别阶段的设计。这些检验步骤可以协助找出设计中的错误，以此让设计者与工程师修正或改良其设计。

随着设计者与制造商不断地增加单位面积电路元件的数量以及微缩电路元件的尺寸，基底上所制作出的电路元件图形越来越小且彼此越来越接近。电路元件特征尺寸的缩减造成要在基底上制作出所欲设计布局图形的困难度增加。部分原因是光的衍射现象在光刻制造工艺期间造成缺陷，使得所欲形成的影像未能准确地成像在基底上，进而在最后的元件结构中产生瑕疵。

目前，已有解析度增强技术(resolution enhancement techniques,RETs)被用来改善光刻制造工艺期间形成在基底上的遮罩的图像解析度，例如，光学近接修正(optical proximity correction,OPC)，其借助调整穿过光罩的光的振幅来修改用来产生光罩的设计布局图形数据。举例言之，布局图形的边缘常使用此技术来进行调整，其根据基底上某特定点预期受到额外的曝光(或曝光不足)而使得某些几何元件的部位变大或变小，例如改变某个部位的临界尺度(critical dimension,CD，文中又称为线宽)。适当地校准这些调整动作将可大大地改进整体的影像保真度。

然而不足的是，尽管采用了上述解析度增强技术，某些布局区域仍存在着可成像性的问题。这类区域在业界惯称为光刻热点(hotspots)。光刻热点的问题只能借助变更原始布局设计来改变最终成像的图形轮廓来修正。举例言之，收缩(pinching)形态的热点需要借助增加成像的轮廓物件宽度来消除，而桥接(bridging)形态的热点则需要借助增大两个相邻成像的轮廓物件的间距来消除。此布局图形的修改流程可以在制造商端或者是设计者端进行。对前者而言，此流程有时候会称为再布局(retarget)，因为其牵涉到调整已绘制形状来作为最终形成在晶圆上电路形状。尽管光学近接修正以及制造工艺裕度模拟方法可以引导前述的再布局效果，然而其整个修改流程十分废时且所费不赀。因此，现今业界希望开发出能更有效率定位热点以及修改布局设计的新技术。

发明内容

有鉴于上述实际需求，本发明提出了一新颖的光刻热点(hotspot)检测方法，其特点在于对经过光学近接修正或未经过光学近接修正的布局图形数据进行空间影像(aerial image)模拟，以析取出多种特定空间影像强度指数且据以生成多种具检测意义的检测子，由此判别各种不同对应的光刻热点。使用本发明搭配传统光学近接修正后的线宽(CD)检验将可提供更高精度与准确度的图形校正，能显著改进整体的影像保真度，且整个热点验证流程十分有效率且迅速，可适用于全晶片的光学近接修正验证。

本发明提供一种检测光刻热点的方法，其步骤包含：接收一布局图形数据；对布局图形数据进行空间影像模拟以析取出包含空间影像强度最大值(Imax)、空间影像强度最小值(Imin)、空间影像强度临界值(Ith)以及空间影像强度阵列值(Iarray)等多种空间影像强度指数；根据一种或多种空间影像强度指数的组合产生出多种空间影像检测子；根据空间影像检测子的数值来判定出所对应的光刻热点位置与种类；以及将判定出的光刻热点数据储存在一处理器可存取式媒介中。

无疑地，本发明的这类目的与其他目的在读过下文以多种图示与绘图来描述的优选实施例细节说明后将变得更为显见。

附图说明

本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分，使得对本发明实施例有进一步的了解。这些图示描绘了本发明一些实施例，并连同本文描述一起说明了其原理：

图1绘示出根据本发明实施例一集成电路布局图形的设计流程图；

图2绘示出根据本发明实施例一检测光刻热点的方法流程图；以及

图3绘示出根据本发明实施例中布局图形、空间影像强度、光阻以及检测子之间的关系示意图。