[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置包括：

活性区域，在导通状态时流过电流；

终端构造部，设置于所述活性区域的外侧，围绕所述活性区域的周围，并确保预定的耐压；

第一并列pn层，设置在从所述活性区域到所述终端构造部的范围内，配置为使第一导电型半导体区域与第二导电型半导体区域交替地重复；和

第二并列pn层，配置在所述第一并列pn层的上表面，

所述半导体装置的制造方法包括：

第一形成工序，进行所述第一并列pn层的形成；

第二形成工序，进行在所述第一并列pn层的表面沉积第一导电型的第一半导体层的工序，以及将第二导电型杂质选择性地导入所述第一半导体层，并且在与所述第一并列pn层的形成有所述第二导电型半导体区域的区域沿深度方向对置的位置形成第一个第二导电型杂质区域，而形成所述第二并列pn层的工序；

第一热处理工序，通过温度低到能够抑制所述第一个第二导电型杂质区域的扩散的第一热处理，从而在所述终端构造部的所述第一半导体层的表面形成局部绝缘膜，以使局部绝缘膜的端部位于所述第一个第二导电型杂质区域上方并与所述第一个第二导电型杂质区域接触，所述局部绝缘膜用作与配置在比所述终端构造部更外侧的其它元件电分离的元件分离区域；和

第二热处理工序，通过第二热处理，使得所述第一个第二导电型杂质区域扩散。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一形成工序中，重复地进行沉积第二半导体层的工序，以及将第一导电型杂质和第二导电型杂质分别选择性地导入所述第二半导体层，而在所述第二半导体层的表面层交替地重复配置第一导电型杂质区域和第二个第二导电型杂质区域的工序，直到层积多层而成的所述第二半导体层的总厚度成为预定厚度为止。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一形成工序中，重复地进行沉积第一导电型的第二半导体层的工序，以及将第二导电型杂质选择性地导入所述第二半导体层，而在所述第二半导体层的表面层沿与深度方向正交的方向相互分离地配置多个第二个第二导电型杂质区域的工序，直到层积多层而成的所述第二半导体层的总厚度成为预定厚度为止。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一热处理工序中，维持沿深度方向对置的所述第一导电型杂质区域彼此，以及沿深度方向对置的所述第二个第二导电型杂质区域彼此相互分离地配置的状态。

5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一热处理工序中，维持沿深度方向对置的所述第二个第二导电型杂质区域彼此相互分离地配置的状态。

6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一形成工序中，

通过离子注入而将所述第一导电型杂质和所述第二导电型杂质分别选择性地导入所述第二半导体层，

设定所述离子注入的剂量和加速能量，以使在新层积而成的所述第二半导体层形成的所述第一导电型杂质区域和所述第二个第二导电型杂质区域分别与沿深度方向对置的所述第一导电型杂质区域和所述第二个第二导电型杂质区域分离地配置。

7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一形成工序中，

通过离子注入而将所述第二导电型杂质选择性地导入所述第二半导体层，

设定所述离子注入的剂量和加速能量，以使形成在新层积而成的所述第二半导体层中的所述第二个第二导电型杂质区域分别与沿深度方向对置的所述第二个第二导电型杂质区域分离地配置。

8.根据权利要求2或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二热处理工序中，形成由沿深度方向对置的所述第一导电型杂质区域彼此相连而成的所述第一导电型半导体区域，以及由沿深度方向对置的所述第二个第二导电型杂质区域彼此以及所述第一个第二导电型杂质区域相连而成的所述第二导电型半导体区域。