[发明专利]平板探测器的坏点校正方法有效
申请号: | 201510232797.2 | 申请日: | 2015-05-08 |
公开(公告)号: | CN104835125B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 陈永丽;牛杰;胡扬;崔凯;张文日 | 申请(专利权)人: | 上海联影医疗科技有限公司 |
主分类号: | G06T5/00 | 分类号: | G06T5/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 余毅勤 |
地址: | 201815 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 探测器 校正 方法 | ||
1.一种平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,包括
对平板探测器进行坏点识别;
遍历平板探测器的所有坏点,将第一半径的坏点簇以及第一长度的坏点线定义为第一类坏点;将孤立坏点、第二半径的坏点簇以及第二长度的坏点线定义为第二类坏点;其中,所述第二长度小于所述第一长度,所述第二半径小于所述第一半径;以及
对所述第一类坏点与所述第二类坏点分别进行校正;
其中,校正所述第一类坏点中第一半径的坏点簇的方法是双线性插值法,校正所述第一类坏点中第一长度的坏点线的方法是三样条插值法。
2.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,先校正所述第二类坏点,再校正所述第一类坏点。
3.如权利要求2所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,对所述第一类坏点进行校正时,先校正所述第一半径的坏点簇,再校正所述第一长度的坏点线。
4.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,校正所述第二类坏点的方法包括:
采用所述第二类坏点周围3×3像素范围内的所有正常像素的平均像素值对坏点像素进行修正。
5.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,所述第二半径的坏点簇是指以一坏点为中心的3×3像素邻域范围内具有其他坏点,并且紧邻所述3×3像素邻域的外围像素不具有其他坏点的坏点簇。
6.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,所述第一半径的坏点簇是指以一坏点为中心的3×3像素邻域范围内具有其他坏点,并且紧邻所述3×3像素邻域的外围像素也具有其他坏点的坏点簇。
7.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,所述第一长度的坏点线是指同一行或列上长度大于该行或列像素一半,并且该行或列相邻两行或列相对应的位置不存在坏点的坏点线。
8.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,所述第二长度的坏点线是指同一行或者列上的连续长度大于3个像素且小于等于该行或列像素一半,并且该行或列相邻的两行或列相对应的位置不存在坏点的坏点线。
9.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,所述双线性插值法包括:首先初始化坏点双线性插值模板的大小为3×3像素,判断模板四个端点像素是否为正常像素,如果是则采用四个端点像素值的平均作为校正值,如果不是,则增大双线性插值的模板大小,直到四个端点的像素点都为正常像素。
10.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,当所述第一长度的坏点线位于图像边界时,校正所述第一长度的坏点线的方法是,采用与所述第一长度的坏点线相邻点的正常像素值对坏点线进行替换。
11.如权利要求10所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,对于所述第一长度的水平坏点线的校正,采用竖直方向的样条插值法;对于所述第一长度的竖直坏点线的校正,采用水平方向的样条插值法。
12.如权利要求1所述的平板探测器的坏点校正方法,其特征在于,进行所述坏点识别的方法包括:
在所述平板探测器中分别输入某一扫描剂量下采集的多幅暗场、亮场和增益系数图像数据,得出平均暗场图像、平均亮场图像和增益系数矩阵;
分别根据所述平均暗场图像、平均亮场图像以及增益系数矩阵的灰度直方图计算出三种坏像素的判断范围,所述三种坏像素包括暗电流超界坏像素、不稳定坏像素以及响应超界坏像素;以及
根据所述三种坏像素的判断范围分别遍历暗场、亮场以及增益系数图像的像素点,得出并标记所有坏点。
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