[发明专利]AMOLED背板的制作方法及其结构

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED背板的制作方法及其结构。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示技术已经逐步取代CRT显示器。其中，OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED按照驱动类型可分为无源OLED(PMOLED)和有源OLED(AMOLED)。其中，AMOLED通常是由低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)驱动背板和电激发光层组成自发光组件。低温多晶硅具有较高的电子迁移率，对AMOLED而言，采用低温多晶硅材料具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、低能耗等优点。

图1为一种现有AMOLED背板的剖面结构示意图。该AMOLED背板的制作方法主要包括如下步骤：

步骤1、提供基板100，所述基板100包括开关TFT区域、存储电容区域、及驱动TFT区域，在所述基板100上沉积缓冲层200；

步骤2、在所述缓冲层200上沉积非晶硅层，并通过结晶制程使所述非晶硅层结晶、转变为多晶硅层，再通过一道光罩制程对所述多晶硅层进行图案化处理，形成位于开关TFT区域的第一多晶硅段310、位于驱动TFT区域的第二多晶硅段320、及位于存储电容区域的第三多晶硅段330；

步骤3、在所述第一多晶硅段310、第二多晶硅段320、第三多晶硅段330、及缓冲层200上沉积栅极绝缘层400；

步骤4、在所述栅极绝缘层400上沉积第一光阻层并通过一道光罩制程图案化该第一光阻层；

所述第一光阻层遮蔽所述第一多晶硅段310、及第二多晶硅段320的中部，不遮蔽所述第三多晶硅段330；

以所述第一光阻层为遮蔽层，对所述第一多晶硅段310、第二多晶硅段320、及第三多晶硅段330进行P型重掺杂，从而在所述第一多晶硅段310与第二多晶硅段320的两侧、及整个第三多晶硅段330上形成P型重掺杂区域；

步骤5、除去所述第一光阻层，在所述栅极绝缘层400上沉积第一金属层并通过一道光罩制程图案化该第一金属层，分别形成位于开关TFT区域的第一栅极610、位于驱动TFT区域的第二栅极620、及位于存储电容区域的金属电极630；

步骤6、在所述第一栅极610、第二栅极620、金属电极630、及栅极绝缘层400上沉积层间绝缘层700，并通过一道光罩制程在所述层间绝缘层700、及栅极绝缘层400上分别对应所述第一多晶硅段310、及第二多晶硅段320两端的P型重掺杂区域上方形成第一过孔710；

步骤7、在所述层间绝缘层700上沉积第二金属层并通过一道光罩制程图案化该第二金属层，形成第一源/漏极810、及第二源/漏极820；

所述第一源/漏极810、及第二源/漏极820分别经由所述第一过孔710与所述第一多晶硅段310、及第二多晶硅段320两端的P型重掺杂区域相接触；

步骤8、在所述第一源/漏极810、第二源/漏极820、及层间绝缘层700上形成平坦层830，并通过一道光罩制程在所述平坦层830上对应所述第二源/漏极820上方形成第二过孔840；

步骤9、在所述平坦层830上沉积一导电薄膜并通过一道光罩制程图案化该导电薄膜，形成阳极850；

所述阳极850经由所述第二过孔840与所述第二源/漏极820相接触；

步骤10、在所述阳极850、及平坦层830上沉积第二光阻层，并通过一道光罩制程图案化该第二光阻层，形成像素定义层900；

步骤11、在所述像素定义层900、及阳极850上沉积第三光阻层，并通过一道光罩制程图案化该第三光阻层，形成光阻间隔物910。

但上述制作过程需要9道光罩，制程较为繁琐，生产效率低，成本高。因此有必要提出一种新的AMOLED背板的制作方法及其结构，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种AMOLED背板的制作方法，制程简单，可提高生产效率，节省成本。

本发明的另一目的在于提供一种AMOLED背板结构，结构简单，易于制作，且成本低。

为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED背板的制作方法，包括如下步骤：