[发明专利]AMOLED背板的制作方法及其结构

权利要求书

1.一种AMOLED背板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，所述基板(1)包括开关TFT区域、存储电容区域、及驱动TFT区域，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；

步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积非晶硅层，并通过结晶制程使所述非晶硅层结晶、转变为多晶硅层，再通过一道光罩制程对所述多晶硅层进行图案化处理，分别形成位于开关TFT区域的第一多晶硅段(31)、位于驱动TFT区域的第二多晶硅段(32)、及位于存储电容区域的第三多晶硅段(33)；

步骤3、在所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)、第三多晶硅段(33)、及缓冲层(2)上沉积栅极绝缘层(4)；

步骤4、在所述栅极绝缘层(4)上沉积第一光阻层，并通过一道光罩制程图案化该第一光阻层，形成光阻层(5)；所述光阻层(5)遮蔽所述第一多晶硅段(31)、及第二多晶硅段(32)的中部，不遮蔽所述第三多晶硅段(33)；

以所述光阻层(5)为遮蔽层，对所述第一多晶硅段(31)、第二多晶硅段(32)、及第三多晶硅段(33)进行P型重掺杂，从而在所述第一多晶硅段(31)与第二多晶硅段(32)的两侧、及整个第三多晶硅段(33)上形成P型重掺杂区域；

步骤5、除去所述光阻层(5)，在所述栅极绝缘层(4)上沉积第一金属层并通过一道光罩制程图案化该第一金属层，分别形成位于开关TFT区域的第一栅极(61)、位于驱动TFT区域的第二栅极(62)、及位于存储电容区域的金属电极(63)；

步骤6、在所述第一栅极(61)、第二栅极(62)、金属电极(63)、及栅极绝缘层(4)上沉积层间绝缘层(7)，并通过一道光罩制程在所述层间绝缘层(7)、及栅极绝缘层(4)上分别对应所述第一多晶硅段(31)、及第二多晶硅段(32)两端的P型重掺杂区域上方形成第一过孔(71)；

步骤7、在所述层间绝缘层(7)上沉积一导电薄膜，并通过一道光罩制程图案化该导电薄膜，形成位于开关TFT区域的第一源极(72)与第一漏极(73)、位于驱动TFT区域的第二源极(74)与第二漏极(75)，其中，所述第二漏极(75)延伸至存储电容区域，并充当AMOLED的阳极；

所述第一源极(72)、第一漏极(73)、第二源极(74)、及第二漏极(75)分别经由所述第一过孔(71)与所述第一多晶硅段(31)、及第二多晶硅段(32)两端的P型重掺杂区域相接触；

步骤8、在所述第一源极(72)、第一漏极(73)、第二源极(74)、第二漏极(75)、及层间绝缘层(7)上依次沉积第二光阻层(80)与第三光阻层(90)，并通过一道半色调光罩制程同时对该第二光阻层(80)与第三光阻层(90)进行图案化处理，形成像素定义层(8)、及光阻间隔物(9)，所述像素定义层(8)上形成第二过孔(81)，以暴露出所述第二漏极(75)。

2.如权利要求1所述的AMOLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中的结晶制程为准分子激光退火处理、固相结晶化、金属诱导结晶、或金属诱导横向结晶。

3.如权利要求1所述的AMOLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中的栅极绝缘层(4)的材料为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层构成的多层复合结构。

4.如权利要求1所述的AMOLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤5采用离子植入机植入硼离子得到所述P型重掺杂区域。

5.如权利要求1所述的AMOLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤7中的层间绝缘层(7)的材料为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层构成的多层复合结构。

6.如权利要求1所述的AMOLED背板的制作方法，其特征在于，所述步骤8中，所述导电薄膜，也即所述第一源极(72)、第一漏极(73)、第二源极(74)、及第二漏极(75)的结构为两导电氧化物层夹合一金属层构成的三层结构，所述导电氧化物层的材料为氧化铟锡，所述金属层的材料为银或铝。