[发明专利]一种大尺寸4H、6H-SiC单晶片的快速抛光方法在审
| 申请号： | 201510229865.X | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN104835731A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 高玉强;宗艳民;梁庆瑞;王含冠;张志海 | 申请（专利权）人： | 山东天岳晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻;杨婷 |
| 地址： | 250118 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 sic 晶片 快速 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种大尺寸4H、6H-SiC单晶片的快速抛光方法，包括机械抛光和化学机械抛光，其特征在于：化学机械抛光采用三氧化二铝抛光液。
2.根据权利要求1所述的抛光方法，其特征在于：其具体步骤为：
(1)机械抛光；
(2)化学机械抛光
1)向水中添加氧化剂，通过搅拌使其充分混合；
2)向上述混合溶液中添加Al2O3抛光液和分散剂，搅拌混合均匀；
3)在上述溶液中加入KOH颗粒调节pH值至9～14；
4)常温超声10-20分钟，使得成分混合充分，氧化铝粒子分布均匀；
5)采用质软抛光布抛光，晶片压力200-600g/cm2，抛光温度为20-80℃；
(3)对化学抛光后的镜片进行清洗。
3.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于：所述的水、Al2O3抛光液、氧化剂、分散剂的体积比为0.5：1:(0.1～2)：(0.1～0.5)：。
4.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于：所述的氧化剂为双氧水或次氯酸钠或高锰酸钾或硝酸。
5.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于：所述的分散剂为硅酸钠。
6.根据权利要求2所述的抛光方法，其特征在于：所述的Al2O3抛光液质量分数为1％-50％，粒度为50nm-500nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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