[发明专利]片式白光发光二极管及其制备方法以及封装胶材

说明书

技术领域

本发明涉及一种白光发光二极管，特别涉及一种包括基材及封装件的片式白光发光二极管，其中，该基材与封装件皆由一包括可固化树脂、硬化剂、荧光材及经改质的纳米导热材的混合物所形成。

背景技术

在传统的发光二极管装置中，发光二极管芯片所产生的热量大都通过散热材传导至散热基板，再藉由散热基板将热传递至外界。随着发光二极管芯片功率提高，热量产生越来越快，上述热量传导路径已无法及时地有效将热量散逸，导致发光二极管芯片易损坏且使用期限短。因此，如何有效地将发光二极管芯片所产生的热量传递至外界，为此领域人员亟欲解决的问题。

中国台湾TW201304196揭示一种背切式发光二极管的制造方法，参阅图1。该背切式发光二极管的制造方法包括以下步骤：(1)提供一阵列式发光二极管封装结构6，其包括一陶瓷基底61、多个设置于该陶瓷基底正面611上且电性连接于该陶瓷基底61的发光单元62、及一成形于该陶瓷基底正面611上且覆盖上述多个发光单元62的透镜组63，其中该透镜组63包括多个分别对应上述多个发光单元62的透镜631；(2)将该阵列式发光二极管封装结构6放置于一塡充有液态胶71的工具7内，其中该透镜组63面向且接触该液态胶71，该陶瓷基底61具有一外露且对应于该陶瓷基底正面611的陶瓷基底背面612；(3)将该液态胶71固化以形成一固态胶体72，以使得该阵列式发光二极管封装结构6相对于该工具7的位置被该固态胶体72所固定，接着，从该陶瓷基底背面612朝该固态胶体72的方向切割该阵列式发光二极管封装结构6的陶瓷基底61与透镜组63，以形成多个背切式发光二极管封装结构8；(4)将一胶带80同时贴附于每一个背切式发光二极管封装结构8的背面81，以及将该固态胶体72液化以恢复成该液态胶73；(5)将上述贴附于该胶带80的每一个背切式发光二极管封装结构8从该工具7中取出，其中每一个背切式发光二极管封装结构8的表面上残留些许的残渣；(6)除去每一个背切式发光二极管封装结构8的残渣；以及将贴附于该胶带80上的每一个背切式发光二极管封装结构8从该胶带80上剥离。

该专利案仅通过陶瓷基底61将发光单元62所产生的热量导引至外界，散热效果不佳。再者，该背切式发光二极管的制备方法需切割步骤，在工艺上较繁锁且该陶瓷基底切割时易脆裂，若考量到发光二极管薄型化的诉求，该切割过程中易造成陶瓷基底的破损，故操作上较受限制且产能易受影响。同时，因陶瓷基底61为一不透光材质，使得该背切式发光二极管无法四面八方发光。

中国台湾TW201210093揭示一种用于提升散热效能的发光二极管，参阅图2。该发光二极管包括一基板单元1、一银导电单元2、一散热单元3、一发光单元4及一封装单元5。该基板单元1具有一陶瓷基板10。该银导电单元2具有两个设置于陶瓷基板10上表面的顶层导电焊垫21、两个设置于陶瓷基板10下表面的底层导电焊垫22、及多个贯穿陶瓷基板10且电性连接于每一个顶层导电焊垫21及每一个底层导电焊垫22间的贯穿导电层23。该散热单元3具有一设置于陶瓷基板10上表面的顶层散热块31及一设置于陶瓷基板10下表面的底层散热块32。该发光单元4具有一设置于顶层散热块31上且通过两个导线W电性连接于两个顶层导电焊垫21间的发光元件40。该封装单元5具有一设置于银导电单元2及散热单元3上且覆盖发光元件40的封装胶体50。该封装胶体50为由透光胶体501(例如硅胶或环氧树脂)和荧光粉502所制得。

该专利案通过顶层散热块31、陶瓷基板10以及底层散热块32将发光元件40所产生的热量导引至外界，使散热效能得以有效被提升。虽该专利案可提升现有发光二极管封装结构散热效果，但，随着发光二极管的薄型化需求，该专利案的发光二极管厚度仍过厚，且散热元件多及设计复杂，产能效益不佳。再者，制备该发光二极管的方法亦涉及如上述TW201304196的切割步骤，故该发光二极管的制备繁琐，且陶瓷基板10易受损。同时，因陶瓷基板10为一不透光材质，使得该发光二极管无法四面八方发光。