[发明专利]片式白光发光二极管及其制备方法以及封装胶材在审

专利信息
申请号: 201510229102.5 申请日: 2015-05-07
公开(公告)号: CN105098047A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 罗冠傑 申请(专利权)人: 罗冠傑
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/48;H01L33/56;H01L33/00
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;常大军
地址: 中国台湾台北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 白光 发光二极管 及其 制备 方法 以及 封装
【权利要求书】:

1.一种片式白光发光二极管,其特征在于,包含:

一基材,是由第一混合物经固化反应所制得,且该第一混合物包括可固化树脂、硬化剂、荧光材及经改质的纳米导热材,其中,该经改质的纳米导热材是由纳米导热材与硅烷化合物所制得;

二支导电支架,分别具有一与该基材接触的端部;

一发光单元,设置在该基材的表面上;

二条导线,分别连接该发光单元,且每一个导线连接于各别的导电支架;以及

一封装件,覆盖该些导线及该发光单元,且该封装件是由第二混合物经固化反应所制得,且该第二混合物包括可固化树脂、硬化剂、荧光材及经改质的纳米导热材,其中,该经改质的纳米导热材是由纳米导热材与硅烷化合物所制得。

2.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,还包含一氮化硼膜,覆盖在该基材及/或封装件上。

3.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该纳米导热材是择自于氧化铝、氮化铝、二氧化硅、氮化硼,或此些的一组合。

4.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该纳米导热材的粒径范围不大于50nm。

5.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该发光单元为紫光发光二极管芯片。

6.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该发光单元为蓝光发光二极管芯片。

7.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该片式白光发光二极管为一片状结构,具有一平均厚度,该平均厚度范围为0.35mm至5mm。

8.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该片式白光发光二极管为一片状结构,具有一平均厚度,该平均厚度范围为0.5mm至3.5mm。

9.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,每一导电支架部分镶嵌在该基材中。

10.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该可固化树脂是择自于环氧树脂、硅树脂或其的组合。

11.根据权利要求10所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该环氧树脂是择自于脂肪系环氧树脂、或脂环系环氧树脂。

12.根据权利要求1所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该荧光材为黄色荧光材或红色荧光材。

13.根据权利要求12所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该黄色荧光材为钇铝石榴石系黄色荧光材。

14.根据权利要求12所述的片式白光发光二极管,其特征在于,该黄色荧光材具有式(I)的化学式:

M1yM25OzNx:M3w式(I)

其中,M1是择自于Sc3+、Y3+、La3+、Sm3+、Gd3+、Pm3+、Er3+、Lu3+,或此些的一组合;M2选自于Al3+、In3+、Ga3+,或此些的一组合;M3是择自于Tm3+、Bi3+、Tb3+、Ce3+、Eu3+、Mn3+、Er3+、Yb3+、Ho3+、Gd3+、Pr3+、Dy3+、Nd3+,或此些的一组合;3≦x≦8,2.7≦y≦3,0≦z≦7.5,且0<w≦0.3。

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