[发明专利]有机发光显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201510227515.X | 申请日: | 2015-05-06 |
公开(公告)号: | CN104952905A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 刘利宾;许晓伟;李良坚 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种有机发光显示面板及其制备方法,以及设置有该有机发光显示面板的显示装置。
背景技术
有机发光显示(Organic Light Emitting Diode,OLED)由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,被认为是下一代平面显示器的新兴技术。
OLED显示面板包括基板、ITO(Indium Tin Oxide,铟锡氧化物)阳极、发光层和阴极等,其发光原理为:在电压作用下,空穴与电子在发光层复合掉到较低的能带上,放出能量与能隙相同的光子,其波长(发光颜色)取决于发光层的能隙大小。其中,发光层的制作通常采用喷墨打印技术,需要预先在基板上制作像素界定层(Photo Define Layer,PDL),以限定墨滴精确的喷入指定的像素区域。但是,由于PDL层是通常由有机材料膜采用光刻工艺形成,为保证无残留需要大的曝光量,导致关键尺寸偏离差(Critical Dimension bias,CD bias)较大(约2.0μm)。另外,有机材料膜成膜后还需要经历固化过程,而固化过程会导致有机材料收缩,使得关键尺寸偏差进一步加大。
上述叙述中的CD(Critical Dimension,简称:CD)即关键尺寸,为评估及控制集成电路光掩模制造及光刻工艺的图形处理精度,而特别设计的一种反映集成电路特征线条宽度的专用线条图形。而关键尺寸偏差即蚀刻后检测到的CD(After etch inspection CD)减去蚀刻前检测到的显影CD(After develop inspection CD),用于表征刻蚀量和刻蚀均一性,是生产过程中非常重要的数据参数,可简单理解成蚀刻设计值与蚀刻实际值的偏差,即刻蚀偏差。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种有机发光显示面板及其制备方法、显示装置,可以减小像素界定层的关键尺寸偏差,提高显示面板的显示均匀性。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供一种有机发光显示面板,包括:像素界定层,所述像素界定层设置有多个发光材料填充域,还包括:设置在所述像素界定层之上的金属层;所述金属层设置有与所述发光材料填充域一一对应的开口。
优选地,所述开口的宽度大于所述发光材料填充域的开口宽度。
优选地,所述开口的边沿到位于同一侧的所述发光材料填充域的边沿的距离为1~3um。
所述有机发光显示面板,还包括:在所述发光材料填充域中填充发光材料,分别在所述发光材料的上方和下方设置与所述发光材料电性接触的第二电极和第一电极。
可选地,所述第二电极层叠于所述金属层之上,并与所述金属层并联。
可选地,所述第二电极为阴极。
可选地,所述金属层采用下述材料中的一种或多种制成:银、铝、铜、镍、铬和铂。
可选地,所述像素界定层采用下述材料中的一种或多种制成:聚酰亚胺、硅氧化物和硅氮化物。
优选地,所述金属层的表面具有疏水性。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括:上述任一项所述的有机发光显示面板。
本发明实施例还提供一种有机发光显示面板的制备方法,包括:形成第一电极;形成像素界定材料层并进行固化;形成图案化的金属层, 所述金属层形成有与预设的发光材料填充域一一对应的开口;通过构图工艺,在所述开口下方的像素界定材料层形成发光材料填充域;填充发光材料以及形成第二电极。
优选地,所述开口的宽度大于所述发光材料填充域的开口宽度。
优选地,所述形成图案化的金属层,具体为:采用在掩模板的遮挡下进行蒸镀的方法,直接形成图案化的金属层;或者,先形成金属材料层,再通过构图工艺形成图案化的金属层。
可选地,所述通过构图工艺,在所述开口下方的像素界定材料层形成发光材料填充域,包括:涂敷光刻胶并进行曝光、显影;进行干刻去除曝光处的像素界定材料,形成发光材料填充域;剥离光刻胶。
可选地,所述像素界定层采用聚酰亚胺制成;干刻时采用的刻蚀气体主要包括氧气,还包括用于调整刻蚀坡度角的CF4或者SF6,或者CF4与SF6的混合气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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