[发明专利]有机发光显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201510227515.X | 申请日: | 2015-05-06 |
公开(公告)号: | CN104952905A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 刘利宾;许晓伟;李良坚 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,包括:像素界定层,所述像素界定层设置有多个发光材料填充域,其特征在于,还包括:设置在所述像素界定层之上的金属层;
所述金属层设置有与所述发光材料填充域一一对应的开口。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述开口的宽度大于所述发光材料填充域的开口宽度。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述开口的边沿到位于同一侧的所述发光材料填充域的边沿的距离为1~3um。
4.根据权利要求1-3任一项所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括:
在所述发光材料填充域中填充发光材料,分别在所述发光材料的上方和下方设置与所述发光材料电性接触的第二电极和第一电极。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述第二电极层叠于所述金属层之上,并与所述金属层并联。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第二电极为阴极。
7.根据权利要求1-3任一项所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述金属层采用下述材料中的一种或多种制成:银、铝、铜、镍、铬和铂。
8.根据权利要求1-3任一项所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述像素界定层采用下述材料中的一种或多种制成:聚酰亚胺、硅氧化物和硅氮化物。
9.根据权利要求1-3任一项所述的有机发光显示面板,其特征在于,
所述金属层的表面具有疏水性。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1-9任一项所述的有机发光显示面板。
11.一种有机发光显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
形成第一电极;
形成像素界定材料层并进行固化;
形成图案化的金属层,所述金属层形成有与预设的发光材料填充域一一对应的开口;
通过构图工艺,在所述开口下方的像素界定材料层形成发光材料填充域;
填充发光材料以及形成第二电极。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述开口的宽度大于所述发光材料填充域的开口宽度。
13.根据权利要求11或12所述的制备方法,其特征在于,所述形成图案化的金属层,具体为:采用在掩模板的遮挡下进行蒸镀的方法,直接形成图案化的金属层;或者,
先形成金属材料层,再通过构图工艺形成图案化的金属层。
14.根据权利要求11或12所述的制备方法,其特征在于,所述通过构图工艺,在所述开口下方的像素界定材料层形成发光材料填充域,包括:
涂敷光刻胶并进行曝光、显影;
进行干刻去除曝光处的像素界定材料,形成发光材料填充域;
剥离剩余光刻胶。
15.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,
所述像素界定层采用聚酰亚胺制成;干刻时采用的刻蚀气体主要包括氧气,还包括用于调整刻蚀坡度角的CF4或者SF6,或者CF4与SF6的混合气体。
16.根据权利要求11或12所述的制备方法,其特征在于,像素界定材料层采用感光性材料时,所述通过构图工艺在所述开口下方的像素界定材料层形成发光材料填充域,包括:
涂敷光刻胶并进行曝光;
剥离剩余光刻胶,并通过灰化处理去除曝光处的像素界定材料,形成发光材料填充域。
17.根据权利要求11或12任一项所述的制备方法,其特征在于,在形成第一电极的工序之前,还包括:
在基板上形成薄膜晶体管的有源层、栅绝缘层、栅金属层和源漏金属层的工序;
在形成薄膜晶体管的基板上,形成层间绝缘层及过孔的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的