[发明专利]减少聚合物产生的光刻化学品喷涂系统及控制方法

说明书

本发明公开了一种减少聚合物产生的光刻化学品喷涂系统及控制方法，所述化学品瓶的开口处通过管路依次连接排泡装置、喷涂泵、第一过滤器、第一电磁阀以及喷头以输出化学品，在现有的管路基础上设有一回路，回路用于将管路中的化学品输送至所述化学品瓶内，从而形成化学品的循环系统。本发明提供的减少聚合物产生的光刻化学品喷涂系统及控制方法，在现有的光刻化学品喷涂系统中增加了回路，通过通过控制第一电磁阀和第二电磁阀的启闭，使化学品瓶中化学品在喷涂状态和循环状态中切换，避免了化学品在静置的状态下产生大量的大分子聚合物，减少光刻工艺缺陷，提高产品良率。

技术领域

本发明属于半导体集成电路制造设备领域，涉及一种减少聚合物产生的光刻化学品喷涂系统及控制方法。

背景技术

集成电路(IC)产业经历了迅速的增长。IC材料和设计的技术进步产生了多代IC，每一代都具有比上一代更小并且更复杂的电路。尽管如此，这些进步增加了加工和制造IC的复杂性。由于实现了这些进步，IC的加工和制造也需要类似的发展。在IC的发展过程中，功能密度(即，每个芯片区域所互连的器件数量)大体上随着几何尺寸(即，使用制造工艺所能制造出的最小的部件)的减小而增加。

尽管如此，在半导体制造中实现越来越小的部件和工艺仍存在挑战。例如，在制造半导体器件的过程中，光刻环节通常包括喷涂光刻胶或抗反射材料、曝光和显影三个阶段，部分光刻的缺陷来源于光刻化学品，由于光刻化学品内会形成一些大分子的聚合物，大分子聚合物在后续显影工艺或去胶工艺过程中很难被去除，导致光刻缺陷的出现，而这些大分子聚合物在化学品静置放置时更容易产生，并且随时间的推移，聚合物慢慢变大、变多，因此光刻工艺中需要尽量减少大分子聚合物的形成。

如图1所示，图1为现有光刻化学品喷涂系统，包括通过管路6依次连接的化学品瓶1、排泡装置2、喷涂泵3、过滤器4以及喷头5，通过喷涂泵3将化学品瓶1中的化学品输出，并供给至喷头5中，最后由喷头5射出。

由于化学品瓶在静置时，里面的化学品很容易产生大分子聚合物，并且大分子聚合物越积越多，最终导致光刻缺陷的产生，因此，提供本领域技术人员亟需提供一种减少聚合物产生的光刻化学品喷涂系统及控制方法，减少光刻化学品中聚合物的产生，进而减少光刻工艺缺陷，提高产品良率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种减少聚合物产生的光刻化学品喷涂系统及控制方法，减少光刻化学品中聚合物的产生，进而减少光刻工艺缺陷，提高产品良率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种减少聚合物产生的光刻化学品喷涂系统，包括用于存储化学品的化学品瓶，所述化学品瓶的开口处通过管路依次连接排泡装置、喷涂泵、第一过滤器、第一电磁阀以及喷头以输出化学品，所述化学品瓶的开口处还连接一回路与所述管路连通，所述回路用于将管路中的化学品输送至所述化学品瓶内；所述回路的一端与所述管路连通，其另一端连通至所述第一过滤器和第一电磁阀之间的管路上，所述回路上依次设有第二过滤器、压力泵以及第二电磁阀，所述第二过滤器用于过滤出聚合物，所述压力泵为化学品的循环提供动力，所述第二电磁阀用于控制所述回路的启闭；其中，通过控制第一电磁阀和第二电磁阀的启闭，以使化学品瓶中的化学品由管路输送至喷头，或使化学品瓶中的化学品由管路输送至回路中再由管路输出，以形成循环系统。

优选的，所述回路上还设有第三电磁阀，所述第三电磁阀设于所述化学品瓶和第二过滤器之间，用于控制所述回路的启闭。

优选的，所述压力泵的压力在10～100Kpa之间。

优选的，所述压力泵的启闭状态与所述第二电磁阀的启闭状态一致。

优选的，回路的一端伸入所述化学品瓶内，其另一端连通至所述第一过滤器和第一电磁阀之间的管路上。

优选的，所述化学品瓶内具有薄膜塑料层内胆。