[发明专利]基板处理装置和基板处理装置的基板检测方法有效
申请号: | 201510217216.8 | 申请日: | 2015-04-30 |
公开(公告)号: | CN105047585B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 久留巣健人;森公平 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 检测 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括:
基板保持旋转部,其具有能够旋转的旋转板和用于将基板支承于所述旋转板的上方的基板支承部;以及
基板处理部,其用于对由所述基板支承部支承着的所述基板进行处理,
在由所述基板支承部支承着的所述基板的下方配置有环状的回归反射片,
在由所述基板支承部支承着的所述基板的上方设有光投射部和光接收部,该光投射部用于自所述回归反射片的斜上方对所述回归反射片投射具有恒定的入射角的入射光,该光接收部用于自所述回归反射片接收向与入射角所对应的方向相反的方向反射的反射光,
基板检测部根据被所述光接收部接收的反射光的强度来检测有无由所述基板保持旋转部支承的所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述回归反射片的中央敞开部设于所述基板保持旋转部的旋转中心轴线的延长线上。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述回归反射片的中心部设于所述基板保持旋转部的旋转中心轴线的延长线上。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述回归反射片设于所述基板保持旋转部并与所述基板保持旋转部一起旋转。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置设有贯穿所述旋转板并用于供给液体或气体的供给管,
所述供给管贯穿所述回归反射片的中央敞开部。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置设有贯穿所述旋转板并用于供给液体或气体的供给管,所述回归反射片以与所述供给管一起静止的方式设于所述供给管的上端部。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述供给管上设有伞部,
所述回归反射片安装于所述伞部。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板由半导体晶圆构成,基板检测部通过对来自所述光接收部的反射光的强度和预先设定的规定强度进行比较来检测有无半导体晶圆。
9.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板由玻璃基板构成,基板检测部根据来自所述光接收部的反射光的强度和玻璃基板的衰减率来检测有无玻璃基板。
10.一种基板处理装置的基板检测方法,该基板处理装置包括:基板保持旋转部,其具有能够旋转的旋转板和用于将基板支承于所述旋转板的上方的基板支承部;以及基板处理部,其用于对由所述基板支承部支承着的所述基板进行处理,在由所述基板支承部支承着的所述基板的下方配置有环状的回归反射片,在由所述基板支承部支承着的所述基板的上方设有光投射部和光接收部,该光投射部用于自所述回归反射片的斜上方对所述回归反射片投射具有恒定的入射角的入射光,该光接收部用于自所述回归反射片接收向与入射角所对应的方向相反的方向反射的反射光,其特征在于,
该基板处理装置的基板检测方法包括以下步骤:
利用光投射部自所述回归反射片的斜上方对所述回归反射片投射入射光;
利用光接收部接收来自所述回归反射片的反射光;以及
基板检测部根据被所述光接收部接收的反射光的强度来检测有无由所述基板保持旋转部支承的所述基板。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置的基板检测方法,其特征在于,
所述回归反射片设于所述基板保持旋转部的中央部并与所述基板保持旋转部一起旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造