[发明专利]一种在线监控栅氧化层完整性的方法在审
| 申请号: | 201510216570.9 | 申请日: | 2015-04-30 |
| 公开(公告)号: | CN104900556A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
| 发明(设计)人: | 周柯;尹彬锋;赵敏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 在线 监控 氧化 完整性 方法 | ||
1.一种在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,包括:
根据设定的采样频率以及缺陷密度规格,获得用于监控分析的最小采样数量;
选取大于或等于所述最小采样数量的量产品作为用于监控分析的量产品样本,所述量产品本的切割道上设置有GOI测试结构;
按照所述采样频率从每个量产品样本上选取GOI测试结构,对每个GOI测试结构施加预定失效模式的电压,分别量测出每个GOI测试结构在预定失效模式的电压下的栅电流值;
将量测出的所有栅电流值与电流标准比对,评估所述量产品样本所在的当前工艺是否存在栅氧化层完整性问题。
2.如权利要求1所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,依据公式N*ATEST>-ln(1-0.95)/D0/K,获得监控分析的最小采样数量,其中,N是采样数量,ATEST是每个GOI测试结构的面积;D0是缺陷密度规格,K为采样频率。
3.如权利要求1所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,预定失效模式的缺陷密度规格不同,根据设定的采样频率以及预定失效模式的缺陷密度规格,获得用于监控分析的预定失效模式的最小采样数量。
4.如权利要求1至3中任一项所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,所述采样频率为WAT测试的采样频率。
5.如权利要求1所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,所述预定失效模式为一种或多种。
6.如权利要求1所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,对每个GOI测试结构施加预定失效模式的电压后,经过预设时间稳定后,再量测出每个GOI测试结构在所述电压下的栅电流值。
7.如权利要求1所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,评估所述量产品样本所在的当前工艺是否存在栅氧化层完整性问题,包括:
将量测出的所有栅电流值与电流标准比对,确定量产品样本中的失效数量;
若量产品样本中的失效数量小于或等于目标失效数量,则确定所述量产品样本所在的当前工艺不存在栅氧化层完整性问题,继续按照所述当前工艺的参数设置进行量产品生产;
若量产品样本中的失效数量大于目标失效数量,则确定所述量产品样本所在的当前工艺存在栅氧化层完整性问题,调整并改善所述当前工艺的参数设置后继续进行量产品生产。
8.如权利要求1所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,评估所述量产品样本所在的当前工艺是否存在栅氧化层完整性问题,包括:
将量测出的所有栅电流值与电流标准比对,确定量产品样本中的失效数量;
根据量产品样本中的失效数量,获得量产品样本的缺陷密度;
将量产品样本的缺陷密度与所述缺陷密度规格进行比较;
若量产品样本的缺陷密度小于或等于所述缺陷密度规格,则确定所述量产品样本所在的当前工艺不存在栅氧化层完整性问题,继续按照所述当前工艺的参数设置进行量产品生产;
若量产品样本的缺陷密度大于所述缺陷密度规格,,则确定所述量产品样本所在的当前工艺存在栅氧化层完整性问题,调整并改善所述当前工艺的参数设置后继续进行量产品生产。
9.如权利要求3所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,评估所述量产品样本所在的当前工艺是否存在栅氧化层完整性问题,包括:
将量测出的所有栅电流值与电流标准比对,确定量产品样本中的失效样本的失效模式以及各失效模式下的失效数量;
根据各失效模式下的失效数量,分别获得量产品样本在各失效模式下的实际缺陷密度;
对将各失效模式下的实际缺陷密度与所述失效模式下的缺陷密度规格进行比较;
若所述实际缺陷密度小于或等于所述缺陷密度规格,则确定所述量产品样本所在的当前工艺不存在栅氧化层完整性问题,继续按照所述当前工艺的参数设置进行量产品生产;
若所述实际缺陷密度大于所述缺陷密度规格,则确定所述量产品样本所在的当前工艺存在栅氧化层完整性问题,调整并改善所述当前工艺的参数设置后继续进行量产品生产。
10.如权利要求1或6所述的在线监控栅氧化层完整性的方法,其特征在于,根据一定的监控分析频率来执行所述在线监控栅氧化层完整性的方法,并在确定所述量产品样本所在的当前工艺存在栅氧化层完整性问题后,增加监控分析频率来执行所述在线监控栅氧化层完整性的方法。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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