[发明专利]提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法

权利要求书

1.一种提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法，包括硅基背照式图像传感器，所述硅基背照式图像传感器的制作工艺包括如下几个连续的工艺步骤：提供衬底、表面掺杂层制作、表面电极制作、背面减薄处理、离子注入处理、激光退火处理和背面紫外增强减反射膜层制作；其中，离子注入处理完成后，器件上的对应区域形成背面注入层，所述背面注入层由有效区和死区组成；其特征在于：在制作硅基背照式图像传感器的过程中，采用方法一或方法二对背面注入层进行处理：

方法一：

激光退火处理完成后，先采用湿法腐蚀或者干法刻蚀对背面注入层进行处理，去除背面注入层上的死区，然后再进行背面紫外增强减反射膜层制作；

方法二：

离子注入处理完成后，先采用湿法腐蚀或者干法刻蚀对背面注入层进行处理，去除背面注入层上的死区，然后再进行后续的激光退火处理和背面紫外增强减反射膜层制作。

2.根据权利要求1所述的提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法，其特征在于：所述湿法腐蚀所采用的腐蚀液从如下液体中择一采用：氢氟酸、硝酸、冰乙酸、硫酸、高锰酸钾、磷酸、双氧水。

3.根据权利要求1所述的提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法，其特征在于：从如下工艺中择一来进行背面紫外增强减反射膜层制作：CVD工艺、热氧化工艺、热蒸发工艺、电子束蒸发工艺、磁控溅射工艺、ALD工艺、MBE工艺。