[发明专利]一种半导体封装工艺

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体封装工艺。

背景技术

芯片封装技术已经历经了好几代的变迁，代表性的技术指标飞速发展，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，以及引脚数目增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高等等。这些变化的最根本因素来自于市场需求。从80 年代中后期开始，电子产品正朝便携式和小型化、网络化和多媒体化发展，这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求：单位体积信息的提高和单位时间信息的提高。为了满足这些要求，势必要提高电路组装的功能密度，这就成为了促进芯片封装技术发展的最重要因素。

发明内容

针对现有半导体技术中，电子产品的轻薄便携，要求更高的封装技术，本发明提供一种半导体封装工艺，为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案：一种半导体封装工艺，包括前段工艺、后段工艺，所述前段工艺包括：晶片背面研磨、晶片切割、紫外线刻蚀、晶片等离子体清洗、硅印刷、晶圆固化、芯片粘接、引线键合、检查；所述后段工艺包括塑封、激光打标、后固化、焊锡球、切割分离、检查、输送。

优选地，所述前段工艺中将衬底通过真空吸盘置于印刷模板上进行硅印刷操作，所述前段工艺中检查操作包括内部目视检查、2步质量控制内部目视检查。

优选地，所述后端工艺中进行塑封之前要对衬底及芯片进行等离子清洗，所述后端工艺中检查包括外部视检查、质量控制外部目视检查。

本发明的有益效果：本封装工艺针对轻薄便携的电子产品，进行多次检查，降低了不良产品，提高了生产效率。

附图说明

图1为本发明工艺流程图。

具体实施方式

根据图1所示，一种半导体封装工艺，包括前段工艺、后段工艺，所述前段工艺包括：晶片背面研磨、晶片切割、紫外线刻蚀、晶片等离子体清洗、硅印刷、晶圆固化、芯片粘接、引线键合、检查；所述后段工艺包括塑封、激光打标、后固化、焊锡球、切割分离、检查、输送。

优选地，所述前段工艺中将衬底通过真空吸盘置于印刷模板上进行硅印刷操作，所述前段工艺中检查操作包括内部目视检查、2步质量控制内部目视检查。

优选地，所述后端工艺中进行塑封之前要对衬底及芯片进行等离子清洗，所述后端工艺中检查包括外部视检查、质量控制外部目视检 。