[发明专利]一种半导体封装方法在审

专利信息
申请号: 201510209850.7 申请日: 2015-04-27
公开(公告)号: CN104900545A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 曹周 申请(专利权)人: 杰群电子科技(东莞)有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 邓猛烈;胡彬
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 封装 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体制造工艺领域,具体涉及一种半导体封装方法,尤其涉及一种无需连杆的半导体封装方法。

背景技术

目前,在半导体制造工艺领域,引线框架作为集成电路的芯片载体,是实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成电路中都需要使用铜框架。

在传统的半导体封装工艺中,引线框架一般采用铜框架,一片铜框架可以阵列许多的单个半导体单元;为了在铜框架上形成引脚和芯片座,不可避免的需要保留一些连杆,连杆用于固定芯片座和管脚,以防止芯片座或管脚在封装过程中移动或偏离位置;为了使铜框架在加工过程中具备一定的机械强度,连杆还需要保证一定的尺寸,连杆的存在势必会影响半导体的排列密度,降低产能;同时,在焊接芯片和焊接导线的过程中,连杆还往往伴随有轻微的形变,以致芯片或导线可能会出现脱焊现象,严重影响了封装工艺的可靠性和稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提出一种半导体封装方法,来解决以上技术问题。

为达此目的,本发明采用以下技术方案:

本发明提供一种半导体封装方法,包括:

提供一铜框架,所述铜框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;

对所述铜框架的第一表面进行第一次蚀刻,在所述第一表面形成芯片座、管脚和半蚀刻区域;

焊接芯片和导线;

对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻,去除所述半蚀刻区域;

其中,所述第一次蚀刻为半蚀刻。

优选的,所述步骤:对所述铜框架的第一表面进行第一次蚀刻,在所述第一表面形成芯片座、管脚和半蚀刻区域,具体为:

采用化学蚀刻或激光蚀刻对所述铜框架的第一表面进行半蚀刻,在所述第一表面形成一个或多个芯片座、一个或多个管脚以及一个或多个半蚀刻区域。

优选的,所述步骤:焊接芯片和导线,具体包括:

焊接芯片,将待使用的各芯片固定在对应的各芯片座上;

焊接导线,通过导线使各芯片分别与相应的管脚连接。

优选的,所述管脚包括内引脚和外引脚;

所述步骤:焊接芯片和导线之后,还包括第一次封装绝缘材料,具体为:

向所述第一表面注入绝缘材料,使绝缘材料包覆各管脚的内引脚的位于所述第一表面的裸露部分、芯片座的位于所述第一表面的裸露部分、半蚀刻区域、导线和芯片。

优选的,所述步骤:对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻,去除所述半蚀刻区域,具体包括:

采用化学蚀刻或激光蚀刻对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻;

通过第二次蚀刻去除第一次蚀刻所形成的各半蚀刻区域,使各芯片座与各管脚之间、各芯片座之间以及各管脚之间隔离。

优选的,所述步骤:对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻,去除所述半蚀刻区域之后,还包括:第二次封装绝缘材料,具体为:

向所述第二表面注入绝缘材料,使绝缘材料包覆各管脚的内引脚的位于所述第二表面的裸露部分和芯片座的位于所述第二表面的裸露部分,以及使绝缘材料填充各芯片座与各管脚之间、各芯片座之间、各管脚之间隔离后形成的间隙。

优选的,所述步骤:第二次封装绝缘材料之后,还包括:对所述外引脚进行引脚成型。

优选的,所述步骤:第一次封装绝缘材料中,所采用的绝缘材料的主要成分为环氧树脂。

优选的,所述步骤:第二次封装绝缘材料中,所采用的绝缘材料的主要成分为环氧树脂。

优选的,所述铜框架采用铜合金材料制成。

本发明的有益效果:本发明实施例中,半导体封装过程中无需添加连杆,第一次蚀刻后产生的半蚀刻区域和芯片座、管脚为一体结构,可充当连杆以固定各芯片座和管脚,此外,该半蚀刻区域有一定的厚度,因此具备一定的机械强度,在焊接芯片和焊接导线的过程中不会发生形变,提高了封装工艺的可靠性和稳定性。

附图说明

图1为本发明实施例提供的半导体封装的方法流程图。

图2为本发明实施例提供的铜框架的俯视图。

图3为本发明实施例提供的铜框架的侧视图。

图4为本发明实施例提供的半蚀刻后的铜框架的俯视图。

图5为本发明实施例提供的半蚀刻后的铜框架的A-A向剖视图。

图6为本发明实施例提供的焊接芯片和导线后的铜框架的俯视图。

图7为本发明实施例提供的焊接芯片和导线后的铜框架的A-A向剖视图。

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