[发明专利]一种半导体封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：

提供一铜框架，所述铜框架包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；

对所述铜框架的第一表面进行第一次蚀刻，在所述第一表面形成芯片座、管脚和半蚀刻区域；

焊接芯片和导线；

对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻，去除所述半蚀刻区域；

其中，所述第一次蚀刻为半蚀刻。

2.根据权利要求1中所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤：对所述铜框架的第一表面进行第一次蚀刻，在所述第一表面形成芯片座、管脚和半蚀刻区域，具体为：

采用化学蚀刻或激光蚀刻对所述铜框架的第一表面进行半蚀刻，在所述第一表面形成一个或多个芯片座、一个或多个管脚以及一个或多个半蚀刻区域。

3.根据权利要求2中所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤：焊接芯片和导线，具体包括：

焊接芯片，将待使用的各芯片固定在对应的各芯片座上；

焊接导线，通过导线使各芯片分别与相应的管脚连接。

4.根据权利要求3中所述的半导体封装方法，其特征在于，所述管脚包括内引脚和外引脚；

所述步骤：焊接芯片和导线之后，还包括第一次封装绝缘材料，具体为：

向所述第一表面注入绝缘材料，使绝缘材料包覆各管脚的内引脚的位于所述第一表面的裸露部分、芯片座的位于所述第一表面的裸露部分、半蚀刻区域、导线和芯片。

5.根据权利要求4中所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤：对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻，去除所述半蚀刻区域，具体包括：

采用化学蚀刻或激光蚀刻对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻；

通过第二次蚀刻去除第一次蚀刻所形成的各半蚀刻区域，使各芯片座与各管脚之间、各芯片座之间以及各管脚之间隔离。

6.根据权利要求5中所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤：对所述铜框架的第二表面进行第二次蚀刻，去除所述半蚀刻区域之后，还包括：第二次封装绝缘材料，具体为：

向所述第二表面注入绝缘材料，使绝缘材料包覆各管脚的内引脚的位于所述第二表面的裸露部分和芯片座的位于所述第二表面的裸露部分，以及使绝缘材料填充各芯片座与各管脚之间、各芯片座之间、各管脚之间隔离后形成的间隙。

7.根据权利要求6中所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤：第二次封装绝缘材料之后，还包括：对所述外引脚进行引脚成型。

8.根据权利要求3中所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤：第一次封装绝缘材料中，所采用的绝缘材料的主要成分为环氧树脂。

9.根据权利要求6中所述的半导体封装方法，其特征在于，所述步骤：第二次封装绝缘材料中，所采用的绝缘材料的主要成分为环氧树脂。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体封装方法，其特征在于，所述铜框架采用铜合金材料制成。