[发明专利]半导体 ESD 器件

权利要求书

1.一种半导体衬底上的静电放电(ESD)保护器件，所述器件具有有源区，所述有源区包括：

栅极；

源极，包括具有源极触点的硅化物部分；以及

漏极，包括具有漏极触点的硅化物部分，

其中源极和漏极各自沿着器件轴远离栅极延伸，

其中漏极触点沿与器件轴正交的方向相对于源极触点横向偏移，由此源极触点和漏极触点之间的电流具有横向分量，以及

其中所述器件还包括非硅化物区，所述非硅化物区在横向上位于相邻的漏极触点和源极触点之间。

2.根据权利要求1所述的器件，包括多个漏极触点和多个源极触点。

3.根据权利要求2所述的器件，其中每个漏极触点相对于其相邻源极触点横向偏移。

4.根据权利要求2或3所述的器件，其中所述非硅化物区包括各自横向位于相应一对漏极和源极触点之间的多个非硅化物区段。

5.根据权利要求4所述的器件，其中非硅化物区段的横向尺寸W1为至少0.2μm且至多等于器件的全宽度减去源极触点和漏极触点的横向宽度。

6.根据权利要求4所述的器件，其中非硅化物区段的横向尺寸W1为在0.6μm≤W1≤8μm的范围内。

7.根据权利要求5所述的器件，其中所述非硅化物区段中的每一个具有相同的横向尺寸W1。

8.根据权利要求4所述的器件，其中非硅化物区的多个非硅化物区段的至少一些通过另外的非硅化物区段连接在一起，其中所述另外的非硅化物区段在漏极或源极上横向延伸。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述另外的非硅化物区段的至少一些占据与栅极与相应源极触点或漏极触点的相对侧上的实质上所有漏极或源极。

10.根据权利要求8或9所述的器件，其中所述另外的非硅化物区段的横向尺寸W2在0.5μm≤W2≤2μm的范围内。

11.根据权利要求1所述的器件，其中非硅化物区沿器件轴在有源区的全长上延伸。

12.根据权利要求1所述的器件，包括：用于防止在制造期间非硅化物区的硅化的保护层。

13.根据权利要求1所述的器件，其中所述衬底的栅极、源极和本体区电连接在一起，以施加公共参考电势。

14.一种静电放电(ESD)保护电路，包括前述任一项权利要求所述的器件。

15.一种制造静电放电(ESD)保护器件的方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

通过以下步骤在衬底上形成器件的有源区：

形成栅极、源极和漏极，其中源极和漏极各自沿着器件轴远离栅极延伸，

执行硅化，以在漏极和源极中形成硅化物部分；以及

在漏极的硅化物部分上提供漏极触点并在源极的硅化物部分上提供源极触点，其中漏极触点沿与器件轴正交的方向相对于源极触点横向偏移，由此源极触点漏极触点之间的电流具有横向分量，

其中使用掩膜来执行所述硅化，以保留在横向上位于相邻的漏极触点和源极触点之间的非硅化物区。