[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

阵列基板是液晶显示面板(LCD)等显示面板的必要组成部分。阵列基板中通常设置有基底，以及在所述基底上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极、钝化层和黑矩阵，薄膜晶体管的栅极和源极分别与扫描线和数据线连接，薄膜晶体管的漏极与像素电极连接。在阵列基板中，像素电极所在的区域可用于进行显示，故为透光区；而像素电极之间的薄膜晶体管、扫描线、数据线等所在的区域不能进行显示，故为遮光区，遮光区中要设置黑矩阵，避免图像对比度降低。因此，在生产过程中，设置黑矩阵层的步骤会导致制备工艺步骤增加。

另外，在制备源极和漏极时，通常采用铜作为源漏极材料，当铜与有源层接触时，容易产生离子扩散现象，导致有源区的性能降低，尤其是在以多晶硅为有源层材料的时候，离子扩散现象更加明显。而为了防止离子扩散，故在源极和漏极中还要设置钛金属层，其位于铜层与有源层之间。

发明内容

本发明针对现有的阵列基板上需要设置黑矩阵层导致的制备工艺复杂以及在形成铜源漏极时存在离子扩散的问题，提供一种阵列基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是提供一种阵列基板，包括用于显示的透光区和所述透光区外的遮光区，所述遮光区中设置有多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基底和在所述基底上依次设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、钝化层，以及位于所述钝化层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极包括导电遮光层和位于所述导电遮光层上的铜层；所述遮光区至少部分位于所述源极和所述漏极之外的位置也设置有所述导电遮光层。

优选的，所述有源层上方的至少部分区域设置有所述导电遮光层。

优选的，所述源极和所述漏极外的区域中的所述导电遮光层，部分与所述源极相连，部分与所述漏极相连，且与所述源极、所述漏极相连的所述导电遮光层之间设有间隔。

优选的，所述栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和所述第二栅极上方均设置有所述导电遮光层，与所述源极、所述漏极相连的所述导电遮光层之间设置的间隔位于所述第一栅极和所述第二栅极之间处。

优选的，所述遮光区中还设有引线，所述引线上方的至少部分区域设置有所述导电遮光层。

优选的，所述铜层与所述导电遮光层图案相同。

优选的，所述导电遮光层的材料为钛金属。

优选的，所述有源层材料为多晶硅。

优选的，所述阵列基板还包括彩膜，所述彩膜至少设于所述透光区中。

作为另一种技术方案，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括在阵列基板的基底的遮光区中制备薄膜晶体管的步骤，所述薄膜晶体管包括在基底上依次设置的有源层、栅极绝缘层、栅极、钝化层，以及位于钝化层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极包括导电遮光层和位于所述导电遮光层上的铜层；所述遮光区至少部分位于所述源极和所述漏极之外的位置也形成有所述导电遮光层。

优选的，所述导电遮光层与所述铜层图案相同，所述导电遮光层与所述铜层在同一次构图工艺中形成。

作为另一种技术方案，本发明还提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的阵列基板。

本发明的阵列基板中，源极和漏极包括导电遮光层和位于导电遮光层上的铜层，导电遮光层作为源极和漏极的一部分，可以避免铜层与有源区的接触，防止沉积源极和漏极时铜的离子扩散，且导电遮光层还增强了铜层的附着性，防止脱落；同时，导电遮光层还具有位于遮光区中并超出源极和漏极的部分，而这部分导电遮光层可作为用来遮光的黑矩阵层，防止彩膜混色，因此，在制备时不需要额外添加制备黑矩阵层的工艺步骤。

本发明提供的阵列基板的制备方法，可以有效防止在形成源漏极时铜离子扩散现象的发生，同时还省去了制备黑矩阵层的工艺步骤，使制备工艺更加简便。

附图说明

图1为本发明的实施例1的阵列基板的俯视图；

图2为本发明的实施例1的阵列基板的结构示意图；

图3为本发明的实施例2的阵列基板的结构示意图；

图4为本发明的实施例3的阵列基板的制备方法在完成工艺步骤S1后的结构示意图；

图5为本发明的实施例3的阵列基板的制备方法在完成工艺步骤S2后的结构示意图；

图6为本发明的实施例3的阵列基板的制备方法在完成工艺步骤S后的结构示意图；

图7为本发明的实施例3的阵列基板的制备方法在完成工艺步骤S4后的结构示意图；