[发明专利]用于TAB封装的载带及其制造方法

说明书

本申请是申请日为2010年2月23日、申请号为201010121334.6、发明名称为“用于TAB封装的载带及其制造方法”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2009年11月2日提交的韩国专利申请第10-2009-0105177号的优先权，该专利申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及用于TAB封装的载带及其制造方法。

背景技术

通常，半导体芯片可以通过多种方法电连接至衬底。例如，将半导体芯片电连接至衬底的方法可包括导线接合法、焊接法和带式自动接合(TAB)法。

带式自动接合(TAB)技术可采用内引线接合(ILB)进行内部连接。TAB技术还可利用卷绕型带式布线板提供卷至卷封装组合件。通过TAB制造的封装被称为TAB封装。

带式封装是利用带式衬底的半导体封装。带式封装可分为带载封装(TCP)或膜上芯片(COF)封装。

TCP可具有如下结构：半导体芯片通过内引线接合(ILB)工艺接合至通过带式衬底的窗口(器件孔)暴露出的内引线。TCP使得半导体芯片可以内引线接合至TAB带。内引线接合部可使用液体模塑料通过底部填充工艺(under-fill process)进行密封。

COF封装可具有如下结构：半导体芯片安装在无窗口的带式衬底上，并且通过倒装芯片接合工艺安装。例如，COF封装的半导体芯片可以安装在基膜上。在该情况下，在半导体芯片的外围区域形成凸点并且通过倒装芯片接合工艺将半导体芯片经所述凸点安装在所述基膜上。

换言之，常规的COF封装与TCP封装在多个方面存在差异。例如，TCP经常在带中形成有裁切的窗口以使背侧可见并为安装的半导体芯片提供通路，而COF封装通常没有窗口。

发明内容

因此，本发明可在半导体封装制造过程中提供可靠性，其原因是在驱动集成电路(IC)和芯片/驱动集成电路(IC)之间进行组装过程时由驱动辊产生摩擦的齿孔行处不存在铜或金属图案层，由此避免了诸如铜颗粒的缺陷。

在本发明的一个通用方面中，包括在基膜上形成的布线图案和金属镀覆层的TAB带包括传送区，所述传送区包括沿所述基膜的边缘以预定间隔排列的齿孔行，其中所述传送区包括从中暴露出所述基膜的暴露区。

在一些示例性实施方案中，所述传送区可包括在所述齿孔行的外周形成的金属镀覆层图案。

在一些示例性实施方案中，所述金属镀覆层图案可形成在与所述齿孔行相邻的图案区或者在与所述齿孔行分离的图案区。特别地，与所述齿孔行分离的图案区可形成有包括与所述齿孔行分离的至少一个或更多个镀覆线的结构。

在TAB带中形成金属镀覆层的金属可包括Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金。

在本发明的另一通用方面中，一种制造用于TAB封装的载带的方法包括：在基膜上形成包括齿孔行和输入/输出端子图案的电路图案，其中在所述基膜边缘形成的传送区处形成暴露区。

在一些示例性实施方案中，形成电路图案的步骤包括：在绝缘膜的表面活化处理工艺之后通过光刻工艺形成电路图案，其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区处形成的暴露区。

在一些示例性实施方案中，所述表面活化处理工艺可使用Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层。

在一些示例性实施方案中，形成暴露区的步骤可包括：(a1)涂覆光刻胶层；和(a2)通过光刻工艺，利用配有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层。

附图说明

附图用以提供对本发明的进一步理解，并且所述附图并入本申请中并构成本申请的一部分，附图与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是示出TAB带式封装的概念图；

图2a和2b分别是TAB带的结构图和包括根据本发明的TAB带的传送区的放大视图；

图2c是制造根据本发明的TAB带的流程图；

图3是示出图1的TAB带的传送区中的缺陷产生程度和在根据本发明的TAB带的传送区中的缺陷产生程度的图像照片。

具体实施方式

下文中，将参照附图详细描述本发明的实施。为了简明和清楚起见，省略了公知的功能、配置或结构的详细说明，以免使本发明因不必要的细节而不清楚。