[发明专利]用于TAB封装的载带及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510187668.6 申请日: 2010-02-23
公开(公告)号: CN104900537B 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 洪大基;赵东国;具汉谟;林埈永;朴起台;赵相基;俞大成;宋洛浩;金周澈;赵在升 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/12
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 蔡胜有,董文国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 tab 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造载带的方法,包括:

在基膜上形成包括输入/输出端子图案的电路图案、以及包括形成在所述基膜的边缘处的齿孔行的传送区,

其中在所述传送区上形成暴露区,

其中在所述齿孔之间的所述暴露区是连续的使得所述基膜在各齿孔与相邻的齿孔之间是连续地暴露的,

其中金属图案在所述传送区处形成并且与所述输入/输出端子图案分离地形成,以及

其中所述暴露区通过如下形成:

在所述基膜上形成金属层和金属镀覆层,在所述金属层和所述金属镀覆层的上表面上涂覆光刻胶,在光刻胶显影过程中遮挡在所述光刻胶上的对应于所述传送区的光以移除部分的光刻胶,以及蚀刻对应于所述传送区的所述金属层和所述金属镀覆层以暴露出所述基膜的表面。

2.如权利要求1所述的方法,其中所述金属图案形成为线的结构。

3.如权利要求2所述的方法,其中所述线的结构是形成在多个齿孔的两侧的并且沿所述齿孔的延伸方向距离所述齿孔预定间隔的一对镀覆线。

4.如权利要求1所述的方法,其中所述电路图案的形成包括:

实施绝缘膜的表面活化处理过程;和

通过光刻工艺形成预定的电路图案。

5.如权利要求4所述的方法,其中所述表面活化处理过程利用包括Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag和Co中的任一种金属或所述金属的二元合金或三元合金形成单层或多层的镀覆处理层。

6.如权利要求1所述的方法,其中通过选择性蚀刻工艺形成在所述传送区上形成的所述暴露区。

7.如权利要求1所述的方法,其中所述暴露区的形成包括:

在所述基膜上涂覆光刻胶层;和

通过光刻工艺,利用配置有选择性移除区域图案的光掩模在所述传送区上形成光刻胶层图案。

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