[发明专利]用于显示装置的阵列基板及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年4月17日提交的韩国专利申请第10-2014-0046151号的优先权和权益，通过引用将其如在本文中完全阐述的那样并入本文以用于所有目的。

技术领域

本发明涉及一种用于显示装置的阵列基板及其制造方法。更具体地，本发明涉及用于显示装置的阵列基板及其制造方法，其能够防止由于在非有源区中形成在源极/漏极(S/D)金属图案上的钝化孔区中的钝化层的损伤而引起的问题。

背景技术

随着信息导向社会的进步，对用于显示图像的显示装置的需求以各种方式增加。近来，各种显示装置例如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)和有机发光二极管显示(OLED)装置已经投入使用。

在这些显示装置中，液晶显示(LCD)装置包括：包含薄膜晶体管(TFT)的阵列基板，TFT为控制各像素区的通/断的开关元件；包含滤色器和/或黑矩阵等的上基板；形成在阵列基板和上基板之间的包含液晶材料层的显示面板；以及用于控制TFT的驱动单元。在这样的LCD装置中，根据施加到设置在像素区中的像素(PXL)电极和公共电压(Vcom)电极之间的电场来控制液晶层的取向状态，由此对光的透过率进行调整以使得图像能够显示。

在阵列基板中，限定非有源区(NA)以及显示图像的包括一个或更多个像素的有源区(AA)。多个栅极线GL和多个数据线DL交叉以在阵列基板(通常称作“下基板”)的有源区的内表面上限定像素(P)，并且栅极线和数据线之间的交叉部中的每个交叉部设置有与形成在各像素P中的透明像素电极(未示出)一对一连接的TFT。

在阵列基板上，形成多个层例如栅极金属层、半导体层、源极/漏极金属层、像素电极层、公共电极层等，以形成TFT和引线，并且可以形成用于层间绝缘的层间绝缘层或用于保护各层的保护层。

同时，存在扭曲向列(TN)模式，在TN模式中，其上形成有像素电极的阵列基板与其上形成有公共电压电极的上基板彼此隔开，在阵列基板与上基板之间注入有液晶材料，并且沿垂直于基板的方向驱动向列相的液晶分子。然而，上述TN模式的LCD装置由于其约90度的窄的视角而是不利的。

相比之下，存在面内开关(IPS)模式的LCD装置，在IPS模式中，沿平行于基板的方向驱动液晶分子，由此使视角提高到超过170度。基本上像素电极和公共电压电极同时形成在下基板或阵列基板上的IPS模式的LCD装置分为如下类型：像素电极和公共电压电极两者形成在同一层中的类型；以及边缘场开关(FFS)类型，在FFS类型中像素电极和公共电压电极两者在插入一个或更多个绝缘层并且一个电极具有指状的状态下被形成为沿水平方向彼此隔开。

此外，在阵列基板中，可以在有源区外部的非有源区的一部分上形成用于与设置在阵列基板的内部或外部处的驱动单元连接的连接焊盘、用于施加参考电压或参考信号的信号施加焊盘、用于测量的各种焊盘等。

在非有源区中，可以通过使位于层叠在阵列基板上的S/D金属层上的绝缘层或钝化层的一部分开口来形成多个钝化孔或多个钝化接触孔。

钝化孔为由于移除层叠在S/D金属图案上的钝化层或绝缘层的一部分而使S/D金属图案露出的孔洞。为了保护露出的S/D金属图案，可以在钝化孔上形成另一附加钝化层。

在如上所述在S/D金属图案上形成钝化孔的情况下，钝化孔区中的S/D金属图案层与层叠在S/D金属图案层上的与S/D金属图案层接触的附加钝化层之间的粘合强度变弱，从而可在接触的S/D金属图案层和附加钝化层两者之间发生层离现象。此外，在附加过程期间可发生上钝化层的一部分剥离的异物剥离现象。

在钝化孔区中S/D金属层与位于S/D金属层上的附加钝化层之间发生层离现象的情况下，测量的精确度可降低。具体地，在通过异物剥离现象而从钝化层产生的异物到达有源区并且固定至有源区的情况下，可产生显示故障例如像素缺陷或燥点等。

发明内容

在该背景下，本发明的一方面旨在提供一种用于显示装置的阵列基板及其制造方法，其能够解决由于在显示面板的非有源区中形成在钝化孔区中的金属图案和位于金属图案上方的钝化层的粘合强度不足而引起的问题。

本发明的另一方面旨在提供一种用于显示装置的阵列基板及其制造方法，其能够通过在形成在钝化孔区中的S/D金属图案和位于S/D金属图案上方的钝化层之间形成透明电极图案(ITO)来防止在钝化孔区中钝化层的层离现象和异物剥离现象。