[发明专利]用于显示装置的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种用于显示装置的阵列基板，所述阵列基板包括：

含有薄膜晶体管区的有源区；以及

含有钝化孔区的非有源区，在所述钝化孔区中依次设置有栅极绝缘体、源极/漏极金属图案、下透明电极图案以及上钝化层，

其中在含有所述薄膜晶体管区的所述有源区中，依次设置有栅极金属图案、栅极绝缘体、半导体层、源极/漏极金属图案、下钝化层、下透明电极层、上钝化层和上透明电极层，以及

其中在含有所述钝化孔区的所述非有源区中，所述下透明电极图案设置为完全覆盖所述源极/漏极金属图案的所述源极/漏极金属图案的盖层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述下透明电极图案和所述下透明电极层由同一层形成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括在所述钝化孔区中的源极/漏极金属图案上的下钝化层，以及

其中，所述下钝化层包括一个或更多个有机钝化层、一个或更多个无机钝化层、或含有有机钝化层和无机钝化层的双钝化层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述上钝化层和所述下钝化层中的每个由有机材料或无机材料形成，

其中，所述有机材料为光丙烯酸类物质、丙烯酸酯或聚酰胺，所述无机材料为氮化硅或氧化硅。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，还包括设置在所述有源区中的所述下钝化层上的公共电压电极，以及

其中，所述公共电压电极和所述下透明电极图案由同一层形成。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述源极/漏极金属图案和所述栅极金属图案中的每个由选自铜、铜合金、铝、铝合金、钼以及钼合金中的一种或更多种材料形成。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中所述铝合金为AlNd，以及所述钼合金为MoTi。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在含有所述钝化孔区的非有源区中，在所述栅极绝缘体和所述源极/漏极金属图案之间设置有半导体层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，形成在所述有源区中的所述源极/漏极金属图案包括源电极和漏电极。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述半导体层设置为用于在所述源电极与所述漏电极之间形成沟道。

11.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，在所述双钝化层中，所述有机钝化层比所述无机钝化厚。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在含有所述钝化孔区的所述非有源区中，所述下透明电极图案接触所述源极/漏极金属图案。

13.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，在含有所述薄膜晶体管区的所述有源区中，所述下透明电极层被设置为用于形成像素电极。

14.一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，所述方法包括：

提供阵列基板，所述阵列基板包括含有薄膜晶体管区的有源区和含有钝化孔区的非有源区；

在包含于所述非有源区中的所述钝化孔区中依次形成栅极绝缘体、源极/漏极金属图案和下钝化层；

通过移除在所述钝化孔区中所述下钝化层的一部分来露出所述源极/漏极金属图案；

在所述钝化孔区中露出的源极/漏极金属图案上形成下透明电极图案；以及

在所述钝化孔区中的所述下透明电极图案上形成上钝化层，

其中在含有所述薄膜晶体管区的所述有源区中，依次设置有栅极金属图案、栅极绝缘体、半导体层、源极/漏极金属图案、下钝化层、下透明电极层、上钝化层和上透明电极层，以及

其中在含有所述钝化孔区的所述非有源区中，所述下透明电极图案设置为完全覆盖所述源极/漏极金属图案的所述源极/漏极金属图案的盖层。