[发明专利]制造电子组件的方法在审

专利信息
申请号: 201510171169.8 申请日: 2015-04-10
公开(公告)号: CN104979332A 公开(公告)日: 2015-10-14
发明(设计)人: 广濑宪昭;三浦阳平;小山晋平;石川悟志;清井义幸;小林充 申请(专利权)人: 岛根益田电子株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H05K9/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 章蕾
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 制造 电子 组件 方法
【权利要求书】:

1.一种制造电子组件的方法,其包括以下步骤:

将多个组成部件安装于陶瓷衬底的第一主表面上,在所述陶瓷衬底中具有包含电连接到接地部分的接地层的接地线,所述接地部分暴露于所述陶瓷衬底的第二主表面上,且然后以多个组成部件被覆盖有模制树脂层的方式用所述模制树脂层来涂覆所述陶瓷衬底的所述第一主表面;

从涂覆所述陶瓷衬底的所述模制树脂层的表面对所述陶瓷衬底执行半切割以从所述陶瓷衬底的侧表面暴露所述接地线的一部分;

以如下方式形成导电屏蔽膜:所述导电屏蔽膜覆盖所述模制树脂层的所述表面及因所述半切割而暴露的所述接地线的所述所暴露部分;

在划分所述陶瓷衬底之前,形成用于将所述陶瓷衬底划分成多个个别电子组件的狭缝;及

通过所述狭缝将所述陶瓷衬底划分成多个个别电子组件。

2.根据权利要求1所述的制造电子组件的方法,其中在形成所述导电屏蔽膜的所述步骤中,通过经由真空印刷将导电屏蔽树脂施加到所述模制树脂层的所述表面及因所述半切割而暴露的所述接地层的表面而形成所述导电屏蔽膜;且然后对应于所述狭缝而对所述导电屏蔽膜执行第二半切割。

3.根据权利要求1所述的制造电子组件的方法,其中在形成所述导电屏蔽膜的所述步骤中,通过电镀将导电屏蔽树脂施加到所述模制树脂层的所述表面及因所述半切割而暴露的所述接地层的表面。

4.根据权利要求1所述的制造电子组件的方法,其中在将所述陶瓷衬底划分成个别组件之前划刻出所述狭缝。

5.根据权利要求2所述的制造电子组件的方法,其中在将所述陶瓷衬底划分成个别组件之前划刻出所述狭缝。

6.根据权利要求3所述的制造电子组件的方法,其中在将所述陶瓷衬底划分成个别组件之前划刻出所述狭缝。

7.根据权利要求1所述的制造电子组件的方法,其中通过切削器将所述狭缝形成为V形切痕。

8.根据权利要求2所述的制造电子组件的方法,其中通过切削器将所述狭缝形成为V形切痕。

9.根据权利要求3所述的制造电子组件的方法,其中通过切削器将所述狭缝形成为V形切痕。

10.根据权利要求4所述的制造电子组件的方法,其中通过切削器将所述狭缝形成为V形切痕。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于岛根益田电子株式会社,未经岛根益田电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510171169.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top