[发明专利]1×2高效率反射式光栅有效
| 申请号: | 201510165518.5 | 申请日: | 2015-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN104777537B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | 王津;周常河;麻健勇;曹红超;卢炎聪;李民康;项长铖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18 |
| 代理公司: | 上海新天专利代理有限公司31213 | 代理人: | 张泽纯,张宁展 |
| 地址: | 201800 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高效率 反射 光栅 | ||
技术领域
本发明涉及反射式光栅,特别是一种中心波长为1064纳米TE偏振的1×2高效率反射式光栅。
背景技术
分束器是光学系统中的基本元件,在光学系统中有着重要的应用。高效率反射式光栅在脉冲压缩技术、飞秒脉冲分束技术中都需要。由于传统的反射分束光栅存在衍射效率较低、损耗大、加工难度大等不足,限制了反射光栅的应用。熔融石英是一种理想的光栅材料,它具有高光学质量,由熔融石英加工金属介电光栅,可以实现很高的衍射效率。上海光机所胡安铎等人设计了一种TE偏振光在利特罗角入射的情况下宽带金属介电反射光栅,其TE波在800纳米波段的衍射效率大于90%【在先技术1,申请号:201110297954.x】。以上反射光栅的衍射效率较小,以利特罗角入射,不用于分束。
高密度光栅的衍射不能由简单的标量光栅衍射方程来解释,而必须采用矢量形式的麦克斯韦方程并结合边界条件,通过编码的计算机程序精确地计算出结果。Moharam等人已给出了严格耦合波理论的算法【在先技术2:M.G Moharam et al.,J.Opt.Soc.Am.A.12,1077(1995)】,可以解决这类高密度光栅的衍射问题。利用、结合严格耦合波分析及模拟退火算法,优化设计反射光栅。但据我们所知,目前为止,还没有人针对常用1064纳米波长给出制作的金属膜介电光栅的TE偏振1×2分束的高效率反射式光栅。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种中心波长为1064纳米TE偏振的1×2高效率反射式光栅。当TE偏振光垂直入射时,该光栅可以使入射光分成两束等强度的反射光,实现消零级和反射光的总衍射效率大于96%。因此,该反射光栅具有重要的实用价值。
本发明的技术解决方案如下:
一种一种中心波长为1064纳米TE偏振的1×2高效率反射式光栅,特点在于其结构为熔融石英基底上依次分别镀上铬膜、金膜和熔融石英膜,在该熔融石英层刻蚀矩形槽光栅,未被刻蚀的熔融石英膜层为连接层,该反射光栅的光栅周期为2304~2308纳米,占空比为0.34~0.36,光栅深度为570~590纳米,连接层厚度为133~143纳米。
本发明的技术效果如下:
本发明光栅,特别是该光栅的周期为2306纳米,光栅深度为580纳米,占空比为0.35,连接层厚度为138纳米,该光栅反射光的总效率大于97%,0级衍射效率小于0.25%,实现消零级反射。利用多光束激光并行直写装置,可以大批量、低成本地生产。刻蚀深度较小,易加工,光栅性能稳定、可靠,具有重要的实用前景。本发明具有使用灵活方便、衍射效率较高等优点,是一种非常理想的衍射光学元件。
附图说明
图1是本发明1064纳米波长的TE偏振1×2高效率反射式光栅的几何结构示意图。
图中,1代表熔融石英区域(折射率为n1),2代表金膜区域(折射率为n2),3代表铬膜区域(折射率为n3),4代表熔融石英基底区域(折射率n1),5代表TE偏振模式下垂直入射光,6、7分别代表TE模式下的±1级衍射光。d代表光栅周期,b代表光栅脊宽,h1代表光栅刻蚀深度,h2代表连接层厚度,hg代表金膜厚度,hc代表铬膜厚度。
图2是本发明1×2高效率反射式光栅的周期为2306纳米,占空比为0.35,刻蚀深度为580纳米,连接层厚度为138纳米,金膜厚度为122纳米,铬膜厚度20纳米,TE偏振光垂直入射时,±1级衍射效率随波长变化的曲线。
图3是1×2高效率反射式光栅的周期为2306纳米,占空比为0.35,刻蚀深度为580纳米,连接层厚度为138纳米,金膜厚度为122纳米,铬膜厚度20纳米,TE偏振光垂直入射时,0级衍射效率随波长变化的曲线。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明,但不应以此限制本发明的保护范围。
实施例1
本发明中心波长为1064纳米TE偏振的1×2高效率反射式光栅,其结构为熔融石英基底4上依次镀上20纳米铬膜3、122纳米金膜2和熔融石英层1,在熔融石英层1刻蚀矩形槽光栅,未被刻蚀的熔融石英膜层为连接层,该光栅周期为2304~2308纳米,占空比为0.34~0.36,刻蚀深度为570~590纳米,连接层厚度为133~143纳米。
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