[发明专利]一种应变薄膜的结构及制备方法有效
申请号: | 201510154605.0 | 申请日: | 2015-04-03 |
公开(公告)号: | CN104779249B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 巫立斌 | 申请(专利权)人: | 泰州市齐大涂料助剂有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L21/822;G01B7/16;G01S19/14 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人: | 连围 |
地址: | 225500 江苏省泰州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应变 薄膜 结构 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及地下管线测量技术领域,尤其涉及一种基于应变薄膜的结构及制备方法。
背景技术
随着城市建设的发展,地下管线分布的规模和种类日益剧增。地下管线包括电缆、供热管道、供水管道、燃气管道等等,由于其是埋设在地底下,一旦发生破裂等无法立刻及时定位,给管理人员的维修带来不便。更甚至是无法立刻定位后造成更严重的危险,导致人员财产的损失。地下管线长居于黑暗无光的地下,其即使发生泄漏等多半是根据传感器对泄漏物体量进行测量来感应的,而处于成本的考虑,传感器的设置均是间隔一定距离,无法遍布整个管道,其感应速度和感应效果大大降低,且一些管道上细小的裂缝就无法及时感应到,而需要泄漏等情况发生的后才有可能感应,而往往细小的裂缝修补容易简单,而一旦造成泄漏后,则很有可能造成财产的重大损失,甚至造成人员伤亡。因此,如何准确定位地下管线的微小故障位置,并准确作出故障反馈,将管线损耗在瑕疵阶段就及时避免,最大化地减少财产和人员损失。
发明内容
解决上述技术问题,本发明提供了一种基于北斗定位的地网管线测试系统,配合贴设在管道表面的应变薄膜,并设计一等效电路,检测应变薄膜对电路电阻的变化,从而检测出故障点的位置,及时将最微小的损耗及时准确地定位,为管道维护提供最及时的检测定位功能。
本发明还提供了一种基于北斗定位的地网管线测试方法,通过在管道表面贴设应变薄膜,并配合相应电路对管道上的裂缝和微小形变进行感应,从而准确定位管道表面裂缝和微小形变,给管道维护提供最大化的时间保证,并大大降低了管道维护成本。
为了达到上述目的,本发明所采用的技术方案是,一种基于北斗定位的地网管线测试系统,包括贴设在管线外表的应变薄膜,以及设置在应变薄膜外表的防水薄膜,所述应变薄膜为N个环状应变薄膜,其中N≥2,每一环状应变薄膜紧贴设在管道周向环外壁,相邻两个环状应变薄膜之间具有绝缘膜隔离,还包括整流电路、滤波电路、A/D转换电路、主控电路和北斗定位模块,每n个环状应变薄膜之间通过导线串联或并联成为应变薄膜组,其中1≤n≤N,应变薄膜组与整流电路、滤波电路、A/D转换电路和主控电路依次电性连接,所述北斗定位模块与主控电路电性连接,北斗定位模块通过无线通信网络与后台数据库及监控中心通信。
进一步的,所述整流电路为桥式整流电路,其由电阻R1、R2、R3、R4依序头尾连接构成,其中电阻R1和电阻R2的共同连接端为a端,电阻R1和电阻R3的共同连接端为b端,电阻R3和电阻R2的共同连接端为c端,电阻R2和电阻R4的共同连接端为d端,a端和c端连接交流电源UI,b端和d端为电压输出端UO并与滤波电路输入端连接,滤波电路输出端与A/D转换电路输入端连接,A/D转换电路输出端与主控电路连接。
进一步的,还包括电源电路,所述电源电路输入端连接交流电源UI,所述电源电路输出直流电源分别为滤波电路、A/D转换电路和主控电路以及北斗定位模块供电。
一种基于北斗定位的地网管线测试方法,包括以下步骤:
在管线外表均匀贴设N个环状应变薄膜,其中N≥2,并在每一环状应变薄膜外表贴设防水薄膜,
并在相邻两个环状应变薄膜之间设置绝缘膜隔离,
每n个环状应变薄膜之间通过导线串联或并联成为应变薄膜组,其中1≤n≤N,
设置n个依序连接的整流电路、滤波电路、A/D转换电路、主控电路和北斗定位模块构成运算电路,
并将每一应变薄膜组与每一运算电路连接,所有运算电路均通过无线通信网络与后台数据库及监控中心通信。
应变薄膜的结构包括硅基底,所述硅基底上形成有沟道,所述沟道上覆设有复数个压敏电阻,复数个压敏电阻分成两排排列,并形成惠斯通电桥桥臂,所述复数个压敏电阻将所述沟道密封,形成真空沟道,所述复数个压敏电阻对应于所述真空沟道的部分为应力集中区,所述硅基底上还形成有源区、漏区和漂移区,所述沟道设置在源区和漂移区之间,且沟道与源区和漂移区之间通过保护层隔离。
应变薄膜的制备方法如下:
A、在硅基底上形成沟道,并在该沟道上覆设复数个压敏电阻,
B、复数个压敏电阻分成两排排列,并形成惠斯通电桥桥臂,
C、所述复数个压敏电阻将所述沟道密封,形成真空沟道,
D、所述复数个压敏电阻对应于所述真空沟道的部分为应力集中区,
F、在硅基底上形成漏区,
G、在硅基底上沟道两侧形成源区和漂移区,且沟道与源区和漂移区之间设置保护层隔离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的