[发明专利]一种应变薄膜的结构及制备方法

权利要求书

1.一种应变薄膜的结构，该应变薄膜帖设在地网管线测试系统的管线外表，所述地网管线测试系统还包括整流电路、滤波电路、A/D转换电路、主控电路和北斗定位模块，n个应变薄膜之间通过导线串联成为应变薄膜组，其中1≤n≤N，N≥2，且N为正整数，应变薄膜组与整流电路、滤波电路、A/D转换电路和主控电路依次电性连接，所述北斗定位模块与主控电路电性连接，北斗定位模块通过无线通信网络与后台数据库及监控中心通信，所述主控电路包括DSP芯片及其辅助电路，其特征在于：该应变薄膜的结构包括硅基底，所述硅基底上形成有沟道，所述沟道上覆设有复数个压敏电阻，复数个压敏电阻分成两排排列，并形成惠斯通电桥桥臂，所述复数个压敏电阻将所述沟道密封，形成真空沟道，所述复数个压敏电阻对应于所述真空沟道的部分为应力集中区，所述硅基底上还形成有源区、漏区和漂移区，所述沟道设置在源区和漂移区之间，且沟道与源区和漂移区之间通过保护层隔离。

2.根据权利要求1所述的一种应变薄膜的结构，其特征在于：所述应变薄膜的尺寸为宽度：1-10cm，相邻两应变薄膜之间的距离为10-20cm。

3.一种制造如权利要求1所述应变薄膜的结构的制备方法，其特征在于，包括：

A、在硅基底上形成沟道，并在该沟道上覆设复数个压敏电阻，

B、复数个压敏电阻分成两排排列，并形成惠斯通电桥桥臂，

C、所述复数个压敏电阻将所述沟道密封，形成真空沟道，

D、所述复数个压敏电阻对应于所述真空沟道的部分为应力集中区，

F、在硅基底上形成漏区，

G、在硅基底上沟道两侧形成源区和漂移区，且沟道与源区和漂移区之间设置保护层隔离。