[发明专利]一种蓝宝石镜头基片制作方法有效
| 申请号: | 201510147827.X | 申请日: | 2015-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN104760144B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | 周群飞;饶桥兵;胡波卫 | 申请(专利权)人: | 蓝思科技股份有限公司 |
| 主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B28D5/04;B23K26/38 |
| 代理公司: | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙)43214 | 代理人: | 郑隽,吴婷 |
| 地址: | 410329 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 蓝宝石 镜头 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及摄像头制造领域,特别地,涉及一种蓝宝石摄像头镜片制作方法。
背景技术
摄像头包括视窗镜片及用于安装视窗镜片所用的金属环等等。目前摄像头视窗镜片一般采用透明玻璃作为原材料,或者在其表面增加涂层以增加其耐磨效果。因此,现有面板普遍存在硬度低,不耐磨,易划伤,导致视窗镜片产生划痕,严重影响美观、透光度及用户在拍照、摄影方面的体验。
蓝宝石材料由于其硬度高,透光率高,具备良好的物理、化学和光学性能,具有应用于摄像头镜头的良好前景。但摄像头基片尺寸小、厚度薄,呈圆形,传统的蓝宝石锯、线切割只能用于加工方形基片。若需要圆形基片时,只能采用带锯先切成大方片,再开料成小方片,然后再加工成小圆片的方法,费时费力。并且,在加工较小的基片时,装夹难度大,易发生崩边等不良工序,而且加工效率较低、工序长。
发明内容
本发明目的在于提供一种工序简单的蓝宝石镜头基片制作方法,以解决现有加工方法效率低、良率低的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种蓝宝石镜头基片制作方法,包括步骤:
A、掏棒:用金刚石筒刀将定向完毕的晶球加工成圆柱形晶棒;所述晶棒的晶向选择为C向,所述晶棒的直径为48~55mm;
B、切圆形晶片:使用金刚石线锯将圆柱形晶棒切割成圆片;所述圆片厚度为0.3~0.7mm;
C、精加工:将蓝宝石圆片通过CNC机台进行外形尺寸精加工;
D、切摄像头基材:使用激光切割的方式将蓝宝石圆片切割成圆台型或者圆柱形的摄像头基片,摄像头基片的直径为5~7mm,厚度为0.3~0.7mm。
优选的,所述切摄像头基材步骤后,在蓝宝石基材上附加遮光圈防干扰,遮光圈上电镀红外滤光膜。
优选的,所述切摄像头基材步骤后,在蓝宝石基材上电镀防油膜。
优选的,所述精加工步骤还包括:使用研磨、抛光对圆形晶片进行表面处理,以达到指定粗糙度要求。
优选的,所述切摄像头基材步骤中,晶片激光切割去除量为3~5um,切割速度为8~10mm/s。
优选的,所述掏棒步骤中使用的筒刀内径为51~59mm,外径为58~65mm,金钢石砂粒为70~80um,主轴转速为280~300rpm。
本发明具有以下有益效果:
本发明先将晶球切割为圆棒,保留一定余量,再切成圆片,然后用激光切割开料的方式将大圆片直接切割成所需尺寸的圆形摄像头基片,效率高,良率高,原材料利用率提升30%以上。
电镀红外滤光膜及防污膜也能更好的提升摄像效果,给用户带来更好的体验感受,同时由于无需使用其他保护措施对摄像头镜片进行保护,不仅外观简洁美观,而且节省了因各类保护措施所产生的费用,具有明显经济价值。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外,本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图,对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
图1是本发明优选实施例的掏棒步骤示意图;
图2是本发明优选实施例的切圆形晶片步骤示意图;
图3是本发明优选实施例的切摄像头基材步骤示意图;
其中,1、晶球,2、圆柱形晶棒,3、圆片,4、摄像头基片,5、防油膜,6、红外滤光膜,7、遮光圈。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明,但是本发明可以根据权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
参见图1、图2和图3,本实施例公开一种摄像头视窗镜片加工方法,具体步骤如下:
A、掏棒:用金刚石筒刀将定向完毕的晶球加工成圆柱形晶棒;所述晶棒的晶向选择为C向,C向材料在后续抛光过程中相对更容易加工,避免产品加工过程中产生翘曲;晶棒的直径为48~55mm;
B、切圆形晶片:使用金刚石线锯将圆柱形晶棒切割成圆片;所述圆片厚度为0.3~0.7mm,直径48~55mm;
C、精加工:将蓝宝石圆片通过CNC机台进行外形尺寸精加工;使用研磨、抛光对圆形晶片进行表面处理,以达到指定粗糙度要求;
D、切摄像头基材:使用激光切割的方式将蓝宝石圆片切割成圆台形的摄像头基片,摄像头基片的直径为5~7mm,厚度为0.3~0.7mm;晶片激光切割去除量为3~5um,切割速度为8~10mm/s;
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