[发明专利]显示基板及其制造方法和显示装置

说明书

本发明公开了一种显示基板及其制造方法和显示装置。显示基板包括：衬底基板和形成于衬底基板上方的第一金属层、第二金属层、第一电极图形、第二电极图形、第一绝缘层和第二绝缘层，第一绝缘层位于第一金属层之上，第二绝缘层位于第一绝缘层的上方，第一电极图形和第二金属层位于第一绝缘层和第二绝缘层之间；第一绝缘层和第二绝缘层对应第一金属层正上方的位置设置有过孔，第一电极图形的一端与第二金属层连接，第一电极图形的另一端延伸至过孔内，第二电极图形位于过孔内且与第一电极图形连接，第二电极图形还与第一金属层连接。本发明降低了后续工艺中产生各种不良现象的机率，以及避免了第二电极图形发生劣化断路、线不良和异常显示等问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法和

显示装置。

背景技术

目前，在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称：TFT-LCD)技术领域中，高级超维场转换技术(ADvanced Super DimensionSwitch)显示装置的应用越来越广泛。其中，高开口率H-ADS显示装置是ADS显示装置中的一种重要类型。

图1为现有技术中H-ADS显示基板的结构示意图，如图1所示，该显示基板可包括衬底基板11和形成于衬底基板11上方的第一金属层12、第二金属层13、第二电极图形15、第一绝缘层16、第二绝缘层17和有源层21。第一绝缘层16位于第一金属层12之上，有源层21位于第一绝缘层16之上，第二金属层13位于有源层21之上，第二绝缘层17位于第二金属层13之上，第二电极图形15位于第二绝缘层17之上，第一金属层12上方的第一绝缘层16和第二绝缘层17上设置有第一过孔19，第二金属层13上方的第二绝缘层17上设置有第二过孔20，部分第二电极图形15设置于第一过孔19和第二过孔20中以实现将第一金属层12和第二金属层13连接。

现有技术中，采用第二电极图形15作为连接介质，并在需要连接的金属层对应位置进行过孔工艺，以实现金属层之间的导通。但是，现有技术存在如下技术问题：

1)需要两个过孔对不同的金属层进行连接，造成过孔的分布密度太高，这样会导致后续的工艺中出现各种不良现象，例如：过孔的分布密度太高使得配向膜工艺中配向膜扩散不均形成mura，从而提高了后续工艺中产生各种不良现象的机率。

2)由于需要采用两个过孔对不同的金属层进行连接，因此作为连接介质的第二电极图形15除了部分结构位于两个过孔中之外，还有部分结构位于第二绝缘层17之上，使得第二电极图形15跨越的距离较大，位于过孔周围的台阶处和拐角处的第二电极图形15较为脆弱，导致第二电极图形制作完成之后的工艺中特别是产品制作完成和使用过程中容易发生腐蚀，从而容易发生劣化断路、线不良和异常显示等问题。

发明内容

本发明提供一种显示基板及其制造方法和显示装置，用于降低后续工艺中产生各种不良现象的机率，以及避免第二电极图形发生劣化断路、线不良和异常显示等问题。

为实现上述目的，本发明提供了一种显示基板，包括：衬底基板和形成于所述衬底基板上方的第一金属层、第二金属层、第一电极图形、第二电极图形、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一金属层之上，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层的上方，所述第一电极图形和所述第二金属层位于所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间；

所述第一绝缘层和第二绝缘层对应所述第一金属层正上方的位置设置有过孔，所述第一电极图形的一端与所述第二金属层连接，所述第一电极图形的另一端延伸至所述过孔内，所述第二电极图形位于所述过孔内且与所述第一电极图形连接，所述第二电极图形还与第一金属层连接。

可选地，所述过孔包括设置于所述第一绝缘层上的第一子过孔和设置于所述第二绝缘层上的第二子过孔，所述第一子过孔和所述第二子过孔连通且所述第二子过孔的宽度大于所述第一子过孔的宽度；