[发明专利]半导体结构的制造方法

说明书

一种半导体结构的制造方法，其包含下列步骤：提供载体与间隔元件，其中间隔元件的第一表面以暂时粘着层贴附于载体；于晶圆的第三表面上接合间隔元件的第二表面，使得晶圆的影像感测区位于载体与间隔元件之间；于晶圆的第四表面上依序形成第一绝缘层、布线层、第二绝缘层与导电结构；切割载体、间隔元件与晶圆，以形成半导体元件；将半导体元件设置于电路板上，使得导电结构与电路板电性连接；消除暂时粘着层的粘性，以移除载体；以及于电路板上设置镜头组件，使得移除载体的半导体元件位于镜头组件中，且镜头组件的透光件对准于影像感测区。本发明可提升影像感测区的感测能力，并节省现有在晶片上设置玻璃片的成本。

技术领域

本发明是有关一种半导体结构的制造方法。

背景技术

当制作影像感测器的晶片(例如CMOS晶片)时，通常会将玻璃片覆盖于晶圆(wafer)的表面，用以保护晶圆，使灰尘不易附着于晶圆的影像感测区。当晶圆切割后形成的晶片使用于电子产品时，由于电子产品通常在对齐晶片的壳体上会设置透光片，而透光片与晶片表面上的玻璃片具有相似的保护功能，因此会造成材料的浪费与透光度下降。

然而，当晶圆的表面不设置玻璃片时，虽然可提升透光度，使得晶圆切割后的晶片的感测影像能力有所提升，但因晶圆的厚度很薄，要移动已形成球栅阵列的晶圆是相当困难的。

此外，若在制作影像感测器的制程中影像感测区未被其他元件保护，易使影像感测区受灰尘污染，造成良率难以提升。举例来说，当影像感测器经回焊炉固定于电路板时，未覆盖玻璃片的影像感测区会受到大量污染。又或者，需于洁净度高的无尘室中才能进行不具玻璃片的影像感测器的制作，进而造成成本增加。

发明内容

本发明的一技术态样为一种半导体结构的制造方法。

根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤：a)提供载体与间隔元件，其中间隔元件的第一表面以暂时粘着层贴附于载体；b)于晶圆的第三表面上接合间隔元件相对第一表面的第二表面，使得晶圆的影像感测区位于载体与间隔元件之间；c)于晶圆相对第三表面的第四表面上依序形成第一绝缘层、布线层、第二绝缘层与导电结构；d)切割载体、间隔元件与晶圆，以形成半导体元件；e)将半导体元件设置于电路板上，使得导电结构与电路板电性连接；f)消除暂时粘着层的粘性，以移除载体；g)于电路板上设置镜头组件，使得移除载体的半导体元件位于镜头组件中，且镜头组件的透光件对准于影像感测区。

在本发明上述实施方式中，载板可提供晶圆的支撑力，使晶圆在形成第一绝缘层、布线层、第二绝缘层与导电结构时不易破裂。此外，载板可保护晶圆的影像感测区，避免影像感测区经切割载体、间隔元件与晶圆时及设置半导体元件于电路板上时遭到污染。由于间隔元件以暂时粘着层贴附于载体，因此在导电结构与电路板电性连接后便可移除载体。如此一来，不具载体的半导体元件在镜头组件中便可提升影像感测区的感测能力，并节省现有在晶片上设置玻璃片的成本。

附图说明

图1绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。

图2绘示间隔元件接合于晶圆时的示意图。

图3绘示图2的晶圆形成凹孔与第一绝缘层后的示意图。

图4绘示图3的第一绝缘层与焊垫形成布线层后的示意图。

图5绘示图4的布线层形成第二绝缘层后的示意图。

图6绘示图5的裸露的布线层形成导电结构后的示意图。

图7绘示图6的半导体元件设置于电路板后的示意图。

图8绘示图7的半导体元件移除载体后的示意图。

图9绘示图8的电路板设置镜头组件后的示意图。

图10绘示图3的焊垫与间隔元件形成子凹孔后的示意图。