[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含：

a)提供一载体与一间隔元件，其中该间隔元件的一第一表面以一暂时粘着层贴附于该载体；

b)于一晶圆的一第三表面上接合该间隔元件相对该第一表面的一第二表面，使得该晶圆的一影像感测区位于该载体与该间隔元件之间；

c)于该晶圆相对该第三表面的一第四表面上依序形成一第一绝缘层、一布线层、一第二绝缘层与一导电结构；

d)切割该载体、该间隔元件与该晶圆，以形成一半导体元件；

e)将该半导体元件设置于一电路板上，使得该导电结构与该电路板电性连接；

f)消除该暂时粘着层的粘性，以移除该载体，使得该间隔元件的该第一表面裸露；以及

g)于该电路板上设置具有一容置空间的一镜头组件，使得移除该载体的该半导体元件位于该镜头组件的该容置空间中，其中至少一部分的该容置空间位于该间隔元件的该第一表面与该镜头组件之间，且该镜头组件的一透光件对准于该影像感测区。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

于该晶圆的该第四表面形成一凹孔；以及

于该晶圆的该第四表面上与该凹孔的孔壁上形成图案化的该第一绝缘层，使该晶圆的一焊垫由该凹孔与该第一绝缘层裸露。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

于该第一绝缘层上与该焊垫上形成图案化的该布线层，使该布线层与该焊垫电性连接。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

于该布线层上形成图案化的该第二绝缘层，使部分该布线层裸露；以及

于裸露的该布线层上形成该导电结构，使该导电结构与该焊垫电性连接。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

于该焊垫与该间隔元件中形成连通该凹孔的一子凹孔。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

于该第一绝缘层上、该焊垫上与该间隔元件上形成图案化的该布线层，使该布线层与该焊垫电性连接。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

于该布线层上形成图案化的该第二绝缘层，使部分该布线层裸露；以及

于裸露的该布线层上形成该导电结构，使该导电结构与该焊垫电性连接。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含：

蚀刻该晶圆，使该晶圆形成一缺口，且该晶圆的一焊垫的侧壁从该缺口裸露。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

于该晶圆的该第四表面上与该焊垫的侧壁上形成该第一绝缘层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

切除覆盖该焊垫的侧壁的部分该第一绝缘层，使该焊垫的侧壁裸露；以及

于该第一绝缘层上与该焊垫的侧壁上形成图案化的该布线层，使该布线层与该焊垫电性连接。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，步骤c)还包含：

于该布线层上形成图案化的该第二绝缘层，使部分该布线层裸露；以及

于裸露的该布线层上形成该导电结构，使该导电结构与该焊垫电性连接。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该导电结构为导电凸块。