[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

本申请要求于2012年11月21日提交中国专利局、申请号为201210475414.0、发明名称为《阵列基板及其制造方法、显示装置、线宽测量方法和装置》的中国专利申请的分案申请，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)制造业中，CD(Critical Dimension，关键尺寸)的监控测量非常重要，其测量结果的准确性将影响到整个显示装置的性能。在ADS(Advanced-Super Dimension Switch，高级超维场转换技术)型的阵列基板中，间隔分布的条状电极的线宽就是阵列基板的关键尺寸，将影响到显示装置的透过率等性能。在所述阵列基板上有一处线宽测量区，用于测量条状电极的线宽。但是，由于线宽测量区各条状电极分布界限模糊，一直存在条状电极线宽测量不到和测量准确性过差的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，可以测量获得准确的条状电极的线宽。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括：透明基板，设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；所述阵列基板还包括：设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极；还包括：

设置在所述线宽测量区的不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；

所述钝化层至少覆盖所述像素区域。

优选的，所述不透明图案与所述栅线和栅极的图案同层设置；或，所述不透明图案与所述数据线、源极、漏极的图案同层设置。

优选的，所述不透明图案覆盖整个所述线宽测量区。

优选的，所述钝化层只覆盖所述像素区域。

一种阵列基板的制造方法，包括在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；分别在像素区域和线宽测量区内形成第一条状电极和第二条状电极；在所述线宽测量区内形成所述第二条状电极之前，还在所述线宽测量区形成不透明图案，所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；

在形成钝化层时，所形成的钝化层至少覆盖所述像素区域。

优选的，在形成钝化层时，通过构图工艺将所述线宽测量区内的钝化层刻蚀掉。

一种阵列基板的制造方法，包括在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层；其中，所述栅金属层包括：栅线和栅极的图案，所述源漏金属层包括：数据线、源极、漏极的图案；分别在像素区域和线宽测量区内形成第一条状电极和第二条状电极；

在形成所述栅金属层的栅线和栅极的图案的同时在所述线宽测量区形成不透明图案；或在形成所述源漏金属层的数据线、源极、漏极的图案的同时在所述线宽测量区形成不透明图案；所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内；

在形成钝化层时，所形成的钝化层至少覆盖所述像素区域。

优选的，在形成钝化层时，通过构图工艺将所述线宽测量区内的钝化层刻蚀掉。

一种显示装置，包括对盒后的彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板为上述任意一项所述的阵列基板。

一种线宽测量方法，包括：

测量获得线宽测量区任一第二条状电极的宽度值CD1，所述第二条状电极的上侧边界到其下侧沟道中与所述第二条状电极不相邻的0界的宽度值CD2以及所述第二条状电极的下侧边界到其上侧沟道中与所述第二条状电极不相邻的边界的宽度值CD3；

所述CD2和CD3若满足以下条件：目标值-波动值<CD2<目标值+波动值且目标值-波动值<CD3<目标值+波动值，则所述CD1准确，确定其为线宽测量准确值；

若不满足，则所述CD1不准确，重新测量所述第二条状电极的线宽，直至测量到所述线宽测量准确值。

一种线宽测量装置，包括：