[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置在审
| 申请号: | 201510128786.X | 申请日: | 2012-11-21 | 
| 公开(公告)号: | CN104730789A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 | 
| 发明(设计)人: | 刘耀;孙亮;丁向前;李梁梁;白金超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/13;H01L27/02;H01L21/77;G01B21/02 | 
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 | 
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括:透明基板,设置在所述透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层;其中,所述栅金属层包括:栅线和栅极的图案,所述源漏金属层包括:数据线、源极、漏极的图案;所述阵列基板还包括:设置在像素区域内的第一条状电极和设置在线宽测量区的第二条状电极;其特征在于,还包括:
设置在所述线宽测量区的不透明图案,所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内;
所述钝化层至少覆盖所述像素区域。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述不透明图案与所述栅线和栅极的图案同层设置;或,所述不透明图案与所述数据线、源极、漏极的图案同层设置。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,
所述不透明图案覆盖整个所述线宽测量区。
4.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层只覆盖所述像素区域。
5.一种阵列基板的制造方法,包括在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层;其中,所述栅金属层包括:栅线和栅极的图案,所述源漏金属层包括:数据线、源极、漏极的图案;分别在像素区域和线宽测量区内形成第一条状电极和第二条状电极;其特征在于,
在所述线宽测量区内形成所述第二条状电极之前,还在所述线宽测量区形成不透明图案,所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内;
在形成钝化层时,所形成的钝化层至少覆盖所述像素区域。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于,在形成钝化层时,通过构图工艺将所述线宽测量区内的钝化层刻蚀掉。
7.一种阵列基板的制造方法,包括在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、有源层、源漏金属层以及钝化层;其中,所述栅金属层包括:栅线和栅极的图案,所述源漏金属层包括:数据线、源极、漏极的图案;分别在像素区域和线宽测量区内形成第一条状电极和第二条状电极;其特征在于,
在形成所述栅金属层的栅线和栅极的图案的同时在所述线宽测量区形成不透明图案;或在形成所述源漏金属层的数据线、源极、漏极的图案的同时在所述线宽测量区形成不透明图案;所述不透明图案位于所述第二条状电极的下方且至少一个第二条状电极的部分两侧边界位于所述不透明图案所在的区域内;
在形成钝化层时,所形成的钝化层至少覆盖所述像素区域。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,包括:
在形成钝化层时,通过构图工艺将所述线宽测量区内的钝化层刻蚀掉。
9.一种显示装置,其特征在于,包括对盒后的彩膜基板和阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为上述权利要求1~4任意一项所述的阵列基板。
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