[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201510128657.0 | 申请日: | 2015-03-23 |
公开(公告)号: | CN104733456B | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/40;H01L21/28;H01L21/77;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器件(Liquid Crystal Display,简称LCD)和有机电致发光器件(Organic Electroluminescent Device,简称OLED)等显示器件已成为人们生活中的必需品,随着人们需求的提高,为了提高显示器件的显示品质,避免出现阵列基板和彩膜基板对盒时的偏差影响显示器件开口率或者出现漏光的问题,通过集成技术(Color Filter on Array,简称COA)将彩色滤光片集成在阵列基板上。
现有的阵列基板中,设置在所述阵列基板的最上方的第一电极对外部入射光发生反射,导致外部能见度减弱,从而减少了光利用率,降低了显示画面的辨识度。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,用于解决现有技术中的第一电极对外部入射光发生反射,导致外部能见度减弱,从而减少光利用率,降低显示画面的辨识度的问题。
为此,本发明提供一种阵列基板,包括衬底基板,所述衬底基板上设置有薄膜晶体管、彩膜层和第一钝化层,所述第一钝化层上设置有第一电极,所述第一电极包括面状子电极,所述面状子电极与所述薄膜晶体管的区域以及像素单元之间的区域对应设置,所述第一电极为不透明金属电极,所述第一电极的表面设置有凹凸结构,所述凹凸结构用于分散外部入射光。
可选的,所述彩膜层设置在所述薄膜晶体管上,所述彩膜层上设置有平坦层,所述平坦层上设置有第二电极,所述第二电极为透明电极,所述第一钝化层设置在所述第二电极上。
可选的,所述第一电极还包括多个相互平行分布的条状子电极,所述面状子电极与所述条状子电极同层设置,所述条状子电极与所述第二电极对应设置。
可选的,还包括第一过孔、第二过孔和公共电极线,所述公共电极线与栅极同层设置,所述第一电极通过所述第一过孔与所述公共电极线连接,所述第二电极通过所述第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。
可选的,所述第一电极的构成材料包括钼、铝、钕化铝或者铜。
本发明还提供一种显示装置,包括上述任一阵列基板。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法,包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管、彩膜层和第一钝化层;
在所述第一钝化层上形成第一电极,所述第一电极包括面状子电极,所述面状子电极与所述薄膜晶体管的区域以及像素单元之间的区域对应设置,所述第一电极为不透明金属电极,所述第一电极的表面设置有凹凸结构,所述凹凸结构用于分散外部入射光。
可选的,所述在所述第一钝化层上形成第一电极的步骤包括:
在所述第一钝化层上形成金属薄膜;
在所述金属薄膜上形成光刻胶;
采用半色调掩模板或灰色调掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影,形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全去除区域,所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶部分保留区域对应于形成第一电极的图形,所述光刻胶完全去除区域对应于形成其它图形;
对所述金属薄膜进行第一次刻蚀,形成第一电极;
对所述光刻胶进行灰化处理,去除所述光刻胶部分保留区域的光刻胶;
对所述第一电极进行第二次刻蚀,形成凹凸结构;
剥离剩余的光刻胶。
可选的,所述第一次刻蚀为湿法刻蚀,所述第二次刻蚀为干法刻蚀。
可选的,所述在衬底基板上形成薄膜晶体管、彩膜层和第一钝化层的步骤包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成彩膜层;
在所述彩膜层的上方形成第一钝化层;
所述在所述彩膜层的上方形成第一钝化层的步骤之前包括:
在所述彩膜层上形成平坦层;
在所述平坦层上形成第二电极,所述第一钝化层位于所述第二电极上,所述第二电极为透明电极。
本发明具有下述有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的