[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有薄膜晶体管、彩膜层和第一钝化层，所述第一钝化层上设置有第一电极，所述第一电极包括面状子电极，所述面状子电极与所述薄膜晶体管的区域以及像素单元之间的区域对应设置，所述第一电极为不透明金属电极，所述第一电极的表面设置有凹凸结构，所述凹凸结构用于分散外部入射光，所述第一电极的构成材料包括钼、铝、钕化铝或者铜。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜层设置在所述薄膜晶体管上，所述彩膜层上设置有平坦层，所述平坦层上设置有第二电极，所述第二电极为透明电极，所述第一钝化层设置在所述第二电极上。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极还包括多个相互平行分布的条状子电极，所述面状子电极与所述条状子电极同层设置，所述条状子电极与所述第二电极对应设置。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一过孔、第二过孔和公共电极线，所述公共电极线与栅极同层设置，所述第一电极通过所述第一过孔与所述公共电极线连接，所述第二电极通过所述第二过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述的阵列基板。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管、彩膜层和第一钝化层；

在所述第一钝化层上形成第一电极，所述第一电极包括面状子电极，所述面状子电极与所述薄膜晶体管的区域以及像素单元之间的区域对应设置，所述第一电极为不透明金属电极，所述第一电极的表面设置有凹凸结构，所述凹凸结构用于分散外部入射光，所述第一电极的构成材料包括钼、铝、钕化铝或者铜。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一钝化层上形成第一电极的步骤包括：

在所述第一钝化层上形成金属薄膜；

在所述金属薄膜上形成光刻胶；

采用半色调掩模板或灰色调掩模板对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全去除区域，所述光刻胶完全保留区域和所述光刻胶部分保留区域对应于形成第一电极的图形，所述光刻胶完全去除区域对应于形成其它图形；

对所述金属薄膜进行第一次刻蚀，形成第一电极；

对所述光刻胶进行灰化处理，去除所述光刻胶部分保留区域的光刻胶；

对所述第一电极进行第二次刻蚀，形成凹凸结构；

剥离剩余的光刻胶。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一次刻蚀为湿法刻蚀，所述第二次刻蚀为干法刻蚀。

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成薄膜晶体管、彩膜层和第一钝化层的步骤包括：

在衬底基板上形成薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上形成彩膜层；

在所述彩膜层的上方形成第一钝化层；

所述在所述彩膜层的上方形成第一钝化层的步骤之前包括：

在所述彩膜层上形成平坦层；

在所述平坦层上形成第二电极，所述第一钝化层位于所述第二电极上，所述第二电极为透明电极。