[发明专利]具有多个雪崩二极管的ESD保护电路有效
申请号: | 201510128280.9 | 申请日: | 2015-03-23 |
公开(公告)号: | CN104952869B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼;L·于 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 雪崩二极管 二极管 集电极 耦合到 电路 发射极连接 集电极连接 双极晶体管 电源端子 静电放电 发射极 | ||
1.一种静电放电(ESD)保护电路,其包括:
具有基极、集电极和发射极的双极晶体管;
第一二极管,其耦合在所述双极晶体管的所述基极和所述集电极之间,所述第一二极管具有第一雪崩阈值;
第二二极管,其耦合在所述双极晶体管的所述基极和所述集电极之间,所述第二二极管定位于比所述第一二极管更远离所述双极晶体管,并且所述第二二极管具有比所述第一雪崩阈值更低的第二雪崩阈值;
第一端子,其连接到所述集电极;和
电源端子,其连接到所述发射极。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述双极晶体管包括并联连接的两个或更多个双极晶体管。
3.根据权利要求1所述的电路,其中所述双极晶体管包括多个并联的基极区域和发射极区域。
4.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一二极管和所述第二二极管包括多个并联的N阱区域和P阱区域。
5.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一二极管和所述第二二极管共享在衬底的一面处形成的阳极或阴极中的一个。
6.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一二极管和所述第二二极管确定所述双极晶体管的触发电压。
7.根据权利要求1所述的电路,其中所述发射极被形成在衬底的一面处,并且其中所述第一二极管和所述第二二极管被形成在所述衬底的所述面处并且围绕所述发射极。
8.根据权利要求1所述的电路,其进一步包括耦合在所述基极和发射极之间的电阻器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的