[发明专利]具有多个雪崩二极管的ESD保护电路有效

专利信息
申请号: 201510128280.9 申请日: 2015-03-23
公开(公告)号: CN104952869B 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: H·L·爱德华兹;A·A·萨尔曼;L·于 申请(专利权)人: 德克萨斯仪器股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 雪崩二极管 二极管 集电极 耦合到 电路 发射极连接 集电极连接 双极晶体管 电源端子 静电放电 发射极
【权利要求书】:

1.一种静电放电(ESD)保护电路,其包括:

具有基极、集电极和发射极的双极晶体管;

第一二极管,其耦合在所述双极晶体管的所述基极和所述集电极之间,所述第一二极管具有第一雪崩阈值;

第二二极管,其耦合在所述双极晶体管的所述基极和所述集电极之间,所述第二二极管定位于比所述第一二极管更远离所述双极晶体管,并且所述第二二极管具有比所述第一雪崩阈值更低的第二雪崩阈值;

第一端子,其连接到所述集电极;和

电源端子,其连接到所述发射极。

2.根据权利要求1所述的电路,其中所述双极晶体管包括并联连接的两个或更多个双极晶体管。

3.根据权利要求1所述的电路,其中所述双极晶体管包括多个并联的基极区域和发射极区域。

4.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一二极管和所述第二二极管包括多个并联的N阱区域和P阱区域。

5.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一二极管和所述第二二极管共享在衬底的一面处形成的阳极或阴极中的一个。

6.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一二极管和所述第二二极管确定所述双极晶体管的触发电压。

7.根据权利要求1所述的电路,其中所述发射极被形成在衬底的一面处,并且其中所述第一二极管和所述第二二极管被形成在所述衬底的所述面处并且围绕所述发射极。

8.根据权利要求1所述的电路,其进一步包括耦合在所述基极和发射极之间的电阻器。

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