[发明专利]显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种显示面板的制造方法，包括：

在一第一基板上形成一图案化金属材料层；

对该图案化金属材料层进行一氧化程序，以形成一图案化金属层以及覆盖该图案化金属层的一金属氧化物层，其中该图案化金属层包括一上表面以及位于该上表面两侧的侧表面，该金属氧化物层覆盖该图案化金属层的该上表面以及所述多个侧表面；

在该第一基板上形成多个像素结构，所述多个像素结构与该图案化金属层电性连接；以及

在该第一基板的对向设置一第二基板，且于该第一基板与该第二基板之间形成一显示介质。

2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该氧化程序为一热氧化步骤，该热氧化步骤包括通入空气，该热氧化步骤的温度为摄氏100度至摄氏450度，且该热氧化步骤的时间为30分钟至360分钟。

3.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该图案化金属材料层是由至少两膜层所构成的一叠层结构。

4.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该图案化金属材料层包括一顶膜层以及一底膜层，该顶膜层完全地或局部地被该氧化程序氧化以形成该金属氧化物层。

5.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该金属氧化物层的氧浓度为5％至50％，且该金属氧化物层的氧浓度分布为由其上表面往其下表面逐渐递减。

6.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该金属氧化物层的厚度为50埃～500埃。

7.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该金属氧化物层为一遮光图案层。

8.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中:

每一像素结构包括一薄膜晶体管以及一像素电极，且该薄膜晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极；且

该图案化金属层包括多条扫描线以及每一像素结构的该栅极，且每一像素结构的该栅极与其中一条扫描线电性连接。

9.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中：

每一像素结构包括一薄膜晶体管以及一像素电极，该薄膜晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极；

该图案化金属层包括多条数据线以及每一像素结构的该源极以及该漏极，每一像素结构的该源极与其中一条数据线电性连接；且

在进行该氧化程序之后，进一步于每一像素结构的该漏极上方的该金属氧化物层中形成一接触窗，而每一像素结构的该像素电极通过该接触窗与该漏极电性连接。

10.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，还包括：

在该第一基板上形成另一图案化金属材料层；

对所述另一图案化金属材料层进行另一氧化程序，以形成另一图案化金属层以及覆盖所述另一图案化金属层的另一金属氧化物层，其中所述另一图案化金属层包括一上表面以及位于该上表面两侧的侧表面，所述另一金属氧化物层覆盖所述另一图案化金属层的该上表面以及所述多个侧表面；且

所述另一图案化金属层包括多条扫描线以及每一像素结构的该栅极，且每一像素结构的该栅极与其中一条扫描线电性连接。

11.一种显示面板，包括：

一第一基板，该第一基板上包括设置有一像素阵列，所述像素阵列包括：

一图案化金属层，包括一上表面以及位于该上表面两侧的侧表面；

一金属氧化物层，覆盖该图案化金属层的该上表面以及所述多个侧表面，其中该金属氧化物层的材料的至少其中之一为该图案化金属层的氧化物；以及

多个像素结构，与该图案化金属层电性连接；

一第二基板，位于该第一基板的对向；以及

一显示介质，位于该第一基板与该第二基板之间。

12.如权利要求11所述的显示面板，其中该金属氧化物层为一遮光图案层。

13.如权利要求11所述的显示面板，其中该图案化金属层包括是由至少两膜层所构成的一叠层结构。

14.如权利要求11所述的显示面板，其中该金属氧化物层的氧浓度为5％至50％，且该金属氧化物层的氧浓度分布为由其上表面往其下表面逐渐递减。

15.如权利要求14所述的显示面板，其中该金属氧化物层的厚度为50埃～500埃。