[发明专利]黑色矩阵、平面显示器及其制作方法有效
申请号: | 201510119208.X | 申请日: | 2015-03-18 |
公开(公告)号: | CN104716161B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 许名宏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 黑色 矩阵 平面 显示器 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种黑色矩阵、包括黑色矩阵的平面显示器及其制作方法。黑色矩阵布置在位于第一平面的平面基底上,所述黑色矩阵包括光吸收层、微结构层以及设置在微结构层的与光吸收层相反侧的侧面上的光反射层;其中,微结构层被配置成使得入射到光反射层的光经过光反射层反射后相对于第一平面斜向地出射。光吸收层可以形成在微结构层的侧面上,也可以形成在基底上。
技术领域
本发明涉及平面显示领域,尤其涉及一种黑色矩阵和包括黑色矩阵的平面显示器及其制作方法。
背景技术
在现在生活中越来越多地使用平面显示器。有机电致发光器件(OLED)因具有自发光、高亮度、高效率、轻薄、宽视角和易加工等特性、以及低电压驱动、易于大面积制备及全色显示等优点具有广阔的应用前景,得到人们的广泛关注。视角方面,拥有超过160度上下左右的广视角,适合观看;辉度佳、高亮度、高对比使其画质优异;反应速度快,在10μs甚至1μs以下,使用便利;利用RGB萤光材料或是彩色滤光片可以达成全彩化的目标,使得应用面广泛;采用塑料底材具有挠性的优点,促成可弯曲显示器的实现;操作温度广泛从摄氏-40度到摄氏60度均可。然而其高亮度、高对比,省功耗的特性确因外界照明的干扰而导致显示品质有所下降。目前常用的技术方案为在OLED显示器外贴附一层圆偏振偏光片。经由金属反射电极的反射环境光将由偏光片吸收进而提高对比与显示效果,但其代价是一般圆偏振偏光片的透过率在42~44%左右,也就是有超过一半的能量损失,大幅降低了OLED显示器自发光省电优势。对目前的显示方案而言,微腔加CF的方案或白光加CF的方案已可有20~30%的反射率,然而对产品应用而言仍稍有不足。
图1是现有的一设置于平面显示器的黑色矩阵结构示意图。如图1所示,现有的黑色矩阵结构10设置于平面显示器的基底20上,且黑色矩阵结构10包括设置在基底20表面的氧化铬层12、设置于氧化铬层12表面的氮化铬层14,以及设置于氮化铬层14表面的铬层16。基底20的另一表面为平面显示器的显示面。当环境光射入基底20时,黑色矩阵结构10会吸收部分的环境光,由此降低环境光造成的反射,提高显示器的对比。
然而,需要进一步提高黑色矩阵对环境光的吸收,进一步降低显示器的反射率,同时避免发光效率的降低。
发明内容
本发明的目的是提供一种黑色矩阵和包括黑色矩阵的平面显示器,其对环境光吸收的能力被提高,同时出光的阻挡被减轻,即,在增进大视角的出光同时将黑色矩阵的光反射层对光的反射局限在器件内,避免影像对比度不佳的问题;还解决现有技术中因为透明介质的折射率缘故导致光耦合效率低的问题。
本发明的目的还在于提供一种制作黑色矩阵和包括黑色矩阵的平面显示器的方法。
根据本发明的一个实施例,提供一种黑色矩阵,布置在位于第一平面的平面基底上,所述黑色矩阵包括光吸收层、微结构层以及设置在微结构层的与光吸收层相反侧的侧面上的光反射层,光吸收层形成在微结构层的朝向基底的侧面上;其中,微结构层被配置成使得入射到光反射层的光经过光反射层反射后相对于第一平面斜向地出射。
根据本发明的一个实施例,提供一种黑色矩阵,所述黑色矩阵布置在位于第一平面的平面基底上,所述黑色矩阵包括光反射层、微结构层以及设置在微结构层的与光反射层相反侧的光吸收层,光吸收层形成在平面基底上;其中,微结构层被配置成使得入射到光反射层的光经过光反射层反射后相对于第一平面斜向地出射。
根据本发明的一个实施例,提供一种平面显示器,包括如前述的黑色矩阵。
根据本发明的一个实施例,提供一种制作用于平面显示器的黑色矩阵的方法,包括:提供基底,在基底上制作微结构;在该微结构上制作光吸收层;在光吸收层上制作微结构层;在微结构层上制作光反射层;其中,微结构层被配置成使得入射到光反射层的光经过光反射层反射后相对于第一平面斜向地出射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的