[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效

专利信息
申请号: 201510115455.2 申请日: 2015-03-16
公开(公告)号: CN104658482B 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 韩佰祥;吴元均 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3258 分类号: G09G3/3258
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: amoled 像素 驱动 电路 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。

AMOLED是电流驱动器件,当有电流流过有机发光二极管时,有机发光二极管发光,且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(Integrated Circuit,IC)都只传输电压信号,故AMOLED的像素驱动电路需要完成将电压信号转变为电流信号的任务。传统的AMOLED像素驱动电路通常为2T1C,即两个薄膜晶体管加一个电容的结构,将电压变换为电流。

如图1所述,传统的用于AMOLED的2T1C像素驱动电路,包括一第一薄膜晶体管T10、一第二薄膜晶体管T20、及一电容C10,所述第一薄膜晶体管T10为开关薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管T20为驱动薄膜晶体管,所述电容C10为存储电容。具体地,所述第一薄膜晶体管T10的栅极电性连接扫描信号Scan,源极电性连接数据信号Data,漏极与第二薄膜晶体管T20的栅极、及电容C10的一端电性连接;所述第二薄膜晶体管T20的漏极电性连接电源正电压VDD,源极电性连接有机发光二级管D的阳极;有机发光二级管D的阴极电性连接于电源负电压VSS;电容C10的一端电性连接第一薄膜晶体管T10的漏极及第二薄膜晶体管T20的栅极,另一端电性连接第二薄膜晶体管T20的漏极及电源正电压VDD。AMOLED显示时,扫描信号Scan控制第一薄膜晶体管T10打开,数据信号Data经过第一薄膜晶体管T10进入到第二薄膜晶体管T20的栅极及电容C10,然后第一薄膜晶体管T10闭合,由于电容C10的存储作用,第二薄膜晶体管T20的栅极电压仍可继续保持数据信号电压,使得第二薄膜晶体管T20处于导通状态,驱动电流通过第二薄膜晶体管T20进入有机发光二级管D,驱动有机发光二级管D发光。

上述传统用于AMOLED的2T1C像素驱动电路对薄膜晶体管的阈值电压和沟道迁移率、有机发光二极管的启动电压和量子效率以及供电电源的瞬变过程都很敏感。第二薄膜晶体管T20,即驱动薄膜晶体管的阈值电压会随着工作时间而漂移,从而导致有机发光二极管D的发光不稳定;进一步地,各个像素的像素驱动电路的第二薄膜晶体管T20,即驱动薄膜晶体管的阈值电压的漂移不同,漂移量或增大或减小,导致各个像素间的发光不均匀、亮度不一。使用这种传统的不带补偿的2T1C像素驱动电路造成的AMOLED显示亮度的不均匀性约为50%甚至更高。

解决AMOLED显示亮度不均匀的一个方法是对每一个像素加补偿电路,补偿意味着必须对每一个像素中的驱动薄膜晶体管的参数,例如阈值电压和迁移率,进行补偿,使流经有机发光二极管的电流变得与这些参数无关。

发明内容

本发明的目的在于提供一种AMOLED像素驱动电路,能够有效补偿驱动薄膜晶体管及有机发光二级管的阈值电压变化,使AMOLED的显示亮度较均匀,提升显示品质。

本发明的目的还在于提供一种AMOLED像素驱动方法,能够对驱动薄膜晶体管及有机发光二级管的阈值电压变化进行有效补偿,使AMOLED的显示亮度较均匀,提升显示品质。

为实现上述目的,本发明提供一种AMOLED像素驱动电路,包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、电容、及有机发光二极管;

所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接于第一节点,漏极电性连接于第二节点,源极电性连接于有机发光二极管的阳极;

所述第二薄膜晶体管的栅极电性连接于第二全局信号,源极电性连接于电源正电压,漏极电性连接于第二节点;

所述第三薄膜晶体管的栅极电性连接于第一全局信号,源极电性连接于第二节点,漏极电性连接于第一节点;

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