[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效
申请号: | 201510115455.2 | 申请日: | 2015-03-16 |
公开(公告)号: | CN104658482B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 韩佰祥;吴元均 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3258 | 分类号: | G09G3/3258 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 像素 驱动 电路 方法 | ||
1.一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、电容(C)、及有机发光二极管(OLED);
所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(G),漏极电性连接于第二节点(K),源极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阳极;
所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第二全局信号(G2),源极电性连接于电源正电压(VDD),漏极电性连接于第二节点(K);
所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第一全局信号(G1),源极电性连接于第二节点(K),漏极电性连接于第一节点(G);
所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于扫描信号(Scan),源极电性连接于数据信号(Data),漏极电性连接于第三节点(A);
所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第二全局信号(G2),源极电性连接于第三节点(A),漏极电性连接于参考电压(Vref);
所述电容(C)的一端电性连接于第三节点(A),另一端电性连接于第一节点(G);
所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的源极,阴极电性连接于电源负电压(VSS);
所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管,通过将驱动薄膜晶体管短路为二极管的方式进行阈值电压的补偿。
2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、及第五薄膜晶体管(T5)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。
3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一全局信号(G1)、及第二全局信号(G2)均通过外部时序控制器产生。
4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一全局信号(G1)、第二全局信号(G2)、及扫描信号(Scan)相组合先后对应于初始化阶段(1),数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3)、及驱动发光阶段(4);所述数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3)同时进行,同时完成数据信号(Data)的写入和阈值电压的补偿;
在所述初始化阶段(1),所述第一全局信号(G1)为高电位、第二全局信号(G2)为高电位;
在所述数据信号写入阶段(2)和阈值电压补偿阶段(3),所述第一全局信号(G1)为高电位,第二全局信号(G2)为低电位,所述扫描信号(Scan)逐行提供脉冲信号;
在所述驱动发光阶段(4),所述第一全局信号(G1)为低电位、第二全局信号(G2)为高电位。
5.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,多个所述AMOLED像素驱动电路阵列排布于显示面板中,同一行的每一AMOLED像素驱动电路均通过同一扫描信号线和同一参考电压线分别电性连接于用于提供扫描信号(Scan)的扫描信号输入电路和用于提供参考电压(Vref)的参考电压输入电路;同一列的每一AMOLED像素驱动电路均通过同一数据信号线电性连接于用于提供数据信号(Data)的图像数据输入电路;每一AMOLED像素驱动电路均电性连接于用于提供第一全局信号(G1)的第一全局信号控制电路、及用于提供第二全局信号(G2)的第二全局信号控制电路。
6.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述参考电压(Vref)为一恒定电压。
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